化合物半導體特性

化合物半導體

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化合物半導體成科技新戰場

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化合物半導體有高功率密度，可大幅縮小產品體積，在高頻、高溫與高電壓的環境下，仍有極佳效能。在5G、綠能與電動車市場驅動下，估計未來五年，化合物半導體產值將較2020年 ...

化合物半導體材料

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相對於應用廣泛的半導體材料Si而言，寬能隙(Wide Band Gap, WBG)化合物半導體，具有耐高電壓、耐高電流、高散熱效率、高操作頻率等優越材料特性，逐漸受到矚目，最具 ...

化合物半導體材料與應用市場

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化合物半導體材料因為具有寬能隙，高電子遷移率，高功率密度，大穿透電壓或稱崩潰電壓，高導熱係數，高截止頻率以及高熔點等幾個關鍵的物理特性，在近代電子元件應用中 ...

化合物半導體製程用CVD SiC鍍膜技術

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化合物半導體材料具有寬能隙、高功率密度、高崩潰電壓、低功率損耗與較佳的散熱等特性，因此在高功率與低損耗的零碳排趨勢中，化合物半導體材料扮演 ...

從手機到電動車都靠它！什麼是次世代化合物半導體？

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與單一元素的矽半導體相比，化合物半導體具有獨特的材料特性，例如直接能隙（direct bandgap）、高崩潰電場（high break down voltage）及高電子遷移率（electron mobility ...

從電動車應用趨勢，看化合物半導體如何在其中扮演要角？

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... 化合物半導體正是目前業界所關注的材料選項。 高功率、高頻率特性，讓產業擁抱化合物半導體. 過去業界在半導體發展上多以「矽(Si)」為大宗，主要是因為 ...

迎接5G，不可或缺的化合物半導體

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應用層面而言，第一代半導體特性在於其材料來源充足、成本優勢，主要應用於電腦及消費性電子的邏輯IC、記憶體IC、微元件IC 及類比IC 為主；第二代半導體特性在於高電子遷移 ...