SRAM PU PD PG:751001.pdf

751001.pdf

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由唐伯元著作·2006—圖1-1為6個電晶體的SRAM記憶體單元.它是由兩個PullUpPMOS(PU),兩個.PullDownNMOS(PD)與兩個PassGateNMOS(PG)所構成的,亦可視為兩個反相器互相.。其他文章還包含有:「Conventional6T-SRAMcellwith」、「SRAM小科普」、「SRAM的电路结构转载」、「靜態隨機存取記憶體」、「靜態隨機存取記憶體裝置的製造方法及其佈局」

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