SRAM PU PD PG：靜態隨機存取記憶體
靜態隨機存取記憶體
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751001.pdf
https://ir.nctu.edu.tw
圖1-1 為6 個電晶體的SRAM 記憶體單元．它是由兩個Pull Up PMOS(PU)，兩個. Pull Down NMOS(PD)與兩個Pass Gate NMOS(PG)所構成的，亦可視為兩個反相器互相.
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Conventional 6T-SRAM cell with
https://www.researchgate.net
Download scientific diagram | Conventional 6T-SRAM cell with: pull up (PU), pull down (PD) and pass gate (PG) transistors. from publication: SRAM Cell ...
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SRAM小科普
https://zhuanlan.zhihu.com
这里先给大家介绍几个概念，我们定义PU与PD的电流比(Ipu/Ipd)为α ratio，PD与PG的电流比(Ipd/Ipg)为β ratio，PG与PU的电流比(Ipg/Ipu)为γ ratio。当input= ...
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SRAM的电路结构转载
https://blog.csdn.net
它由6 个晶体管（N1~N4、P1~P2）组成，N1、N2 叫做下拉（PD）管，P1、P2 叫做上拉（PU）管，N3、N4 是存取管，有时也叫传输管（PG）。
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靜態隨機存取記憶體裝置的製造方法及其佈局
https://patents.google.com
SRAM晶胞10可包括P型金氧半導體(PMOS)電晶體的傳送閘電晶體PG-1、PG-2和上拉電晶體PU-1、PU-2，以及N型金氧半導體(NMOS)電晶體的下拉電晶體PD-1、PD-2。