ecp電鍍:執行電化學鍍覆製程的方法以及形成半導體結構的方法

執行電化學鍍覆製程的方法以及形成半導體結構的方法

執行電化學鍍覆製程的方法以及形成半導體結構的方法

提供一種電化學鍍覆(electrochemicalplating;ECP)系統。ECP系統包括:ECP單元,包括用於ECP製程的電鍍溶液;感測器,用於在ECP製程繼續時原位量測電鍍金屬與電鍍溶液 ...。其他文章還包含有:「TWI496961B」、「【丹爸的半導體製程概論筆記】」、「創新性無電鍍沉積超薄鈷基阻障層在銅金屬化之應用」、「創新的無凸塊覆晶封裝」、「應用材料宣布第二代ECP製程設備已獲突破」、「盛美上海與客戶簽訂UltraECPap高速電鍍設備批量...

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TWI496961B
TWI496961B

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目前業界多採用電化學電鍍(electrochemical plating,ECP)技術來形成銅導電層,不但成本低廉且不會增加銅層電阻率。在電化學電鍍製程中,是將形成半導體基板浸泡在電解 ...

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【丹爸的半導體製程概論筆記】
【丹爸的半導體製程概論筆記】

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... 電鍍銅製程(Cu ECP)的原理,大家可能不知道台積電之所以可以稱霸台灣半導體市場,剛開始的第一個關鍵戰役就是來自於電鍍銅製程的技術突破。電鍍銅製程在半導體的領域又 ...

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創新性無電鍍沉積超薄鈷基阻障層在銅金屬化之應用
創新性無電鍍沉積超薄鈷基阻障層在銅金屬化之應用

https://tpl.ncl.edu.tw

結合電化學(electrochemical plating, ECP). 銅與低k介電材料的鑲嵌製程已是目前高性能. 奈米IC 之主流技術。而與電化學屬同一技. 術範疇之無電鍍(electroless plating ...

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創新的無凸塊覆晶封裝
創新的無凸塊覆晶封裝

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電化學沈積(Electrochemical Plating, ECP)具有低成本及較佳電性優點,目前已廣泛用於IC銅製程中。而針對TAB所需在晶圓上植入錫鉛或金凸塊,及一般的覆晶製程,也都 ...

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應用材料宣布第二代ECP製程設備已獲突破
應用材料宣布第二代ECP製程設備已獲突破

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半導體設備大廠美商應用材料(Applied Materials)日前宣佈,該公司第二代ECP(electrochemical plating)製程設備已有技術上的突破,該技術可協助以銅製程為基礎的 ...

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盛美上海與客戶簽訂Ultra ECP ap高速電鍍設備批量採購合同
盛美上海與客戶簽訂Ultra ECP ap高速電鍍設備批量採購合同

http://compotech.com.tw

採用新式高速電鍍技術的Ultra ECP ap電鍍設備已被多家先進晶圓級封裝客戶用於更先進的晶圓級封裝制程。在簽訂此合同前,盛美上海還於今年年初宣佈接到了 ...

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積體電路後段導線材料與沈積製程之發展近況
積體電路後段導線材料與沈積製程之發展近況

https://tpl.ncl.edu.tw

3.3 電化學鍍銅(Electrochemical Plating. Copper, ECP-Cu). 電化學鍍銅早在一個世紀前即己被提. 出,其後,經過不斷的製程改良與電化學析鍍. 理論探討,電鍍與無電鍍這兩種 ...

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金屬化製程
金屬化製程

http://140.117.153.69

電化學電鍍法(ECP). • CuSO. 4. 溶液. • 銅製陽極. • 晶圓表面有銅種晶層當陰極. • 固定電流. • Cu2+ 離子擴散和沉積在晶圓表面. 96. Page 97. 銅電鍍製程. Wafer. 導電環, ...