宜 錦 晶圓 薄化:厚銀製程Thick Ag Process 晶圓薄化FSM BGBM │ ...
厚銀製程Thick Ag Process 晶圓薄化FSM BGBM │ ...
1.5 mil 晶圓薄化新挑戰如何在Taiko BGBM 製程提升晶片強度?
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為解決此風險,ProPowertek宜錦目前已完成2mil(50um)、1.5mil(38um),甚至到0.4mil(10um)薄化技術開發,特別是0.4mil的薄如蟬翼的矽晶片(參見圖一),在背面白光光源照射下 ...
MOSFET 晶圓後段製程(BGBM)
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在前段晶圓代工廠完成晶圓允收測試(WAT)後進行封裝(Assembly),如何進行晶圓薄化BGBM 與背金成長好不容易完成了晶圓減薄晶圓薄化與背金成長,但後續又得將晶圓運送到 ...
公司介紹
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主要服務是針對台灣半導體產業鏈中一直缺少的晶圓薄化工程與正背面金屬化製程(Front side metal, FSM;Backside grinding backside metal,BGBM)、IGBT後段整合性製程等( ...
宜特接單正向+子公司改善,今年營運拚成長
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受惠先進製程需求提升,以及子公司封測廠創量、晶圓薄化廠宜錦營運步上軌道,宜特今年第1季營收8.75億元、年增16.77%,營業利益8500萬元、年增37.17%,稅 ...
宜錦晶圓減薄能力達1.5mil
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但如何在薄化製程中降低晶圓厚度,又同時兼顧晶圓強度,避免破片率居高不下之風險自晶圓薄化最大的風險。 為解決此風險,Propowertek宜錦領先業界,已完成2mil(50um) ...
宜錦科技
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1.5 mil 晶圓薄化新挑戰如何在Taiko BGBM 製程提升晶片強度? 「 功率半導體的輕薄短小,是現今熱門議題與未來趨勢。 但隨著晶片薄化後,接踵而來的風險是什麼? 要如何有效 ...
宜錦科技股份有限公司
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主要服務是針對台灣半導體產業鏈中一直缺少的晶圓薄化工程與正背面金屬化製程(Front side metal, FSM;Backside grinding backside metal,BGBM)、IGBT後段整合性製程等( ...
晶圓後段製程(BGBM)
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ProPowertek 宜錦導入專業人才與先進製程, 協助您最短時間內完成晶圓薄化與背金增長(BGBM) · 多種研磨製程解決方案 · 多種背金解決方案 · 背銀厚度達15um甚至可客製化到40um ...
美中晶片角力下被錯殺的績優股
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宜錦科技(持股81%) : 主要業務為提供金屬濺鍍沉積、MOSFET /IGBT晶圓的後段製程、晶圓薄化等。晶圓薄化就是把做好的晶片磨的更薄,有助於減少晶片的 ...