bgbm用途：功率MOSFET的FSM與BGBM製程改善
功率MOSFET的FSM與BGBM製程改善
BGBM晶圓薄化一般研磨Wafer ThiningNon
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MOSFET晶圓薄化製程Wafer Thinning 利用研磨輪，快速且精密研磨後，再以蝕刻液進行表面微蝕刻，去除因研磨產生的破壞層，並釋放應力。宜特可為客戶提供達僅100um的厚度 ...
FSM & BGBM
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Enhance metal adhesion by sputtering process. Provide Bumping (SnAg Bump), RDL (Cu/Ni/Au Redistribution Layer) and SFM (Solderable Front Side Metal) service as ...
MOSFET 晶圓後段製程(BGBM)
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在前段晶圓代工廠完成晶圓允收測試(WAT)後，進行封裝(Assembly)，如何進行晶圓薄化與背金成長(BGBM)? · 宜特導入專業人才與先進製程，協助您最短時間內完成晶圓薄化與背金 ...
MOSFET正面金屬化製程比一比：濺鍍vs.化鍍
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正面金屬化製程的目的，就是藉由濺鍍或化鍍方式形成凸塊下金屬層，接著做銅夾銲接，以降低導線電阻。本文將完整描述正面金屬化的關鍵兩道製程：濺鍍與 ...
先進封裝製程WLCSP
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... 用途之中這個製程主要為降低源極(source)-汲極(drain) 總通道阻抗以加強高功率IC 例如 IGBT, MOSFET 的耗電及散熱特性。 藉由使用晶圓薄化技術可提供 ...
國立臺灣大學工學院材料科學與工程學系(所) 博士論文背晶 ...
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4 BGBM 晶片. ... 烹飪器具等共振用途，應用相當廣泛，IGBT 可以說成是 ... 圖4-9 BGBM chip Si/Ti/Ni/Ag/Sn 和DBC Cu/Ni/Pd/Au 在提高接合溫度和接. 合時間下的接合平均强度.
晶圓後段製程(BGBM)
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ProPowertek 宜錦導入專業人才與先進製程， 協助您最短時間內完成晶圓薄化與背金增長(BGBM) · 多種研磨製程解決方案 · 多種背金解決方案 · 背銀厚度達15um甚至可客製化到40um ...
晶圓薄化介紹
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主要應用：. 降低導通電阻、超薄化封裝或合封、Flip Chip 厚金屬封裝. 加工服務：. 6吋、8吋及12吋之P型或N型矽晶圓薄化(一般及Taiko); 6吋及8吋SiC, GaN晶圓薄化; 晶正及 ...
製程服務
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BSM (Back Side Metallization) 是晶圓經過研磨薄化後，採用物理性沉積的方式，於晶圓背面進行金屬沉積，此金屬介層可提供元件散熱及降低元件阻抗，同時，亦可作為Die ...