晶背金屬化製程：晶背金屬化製程
晶背金屬化製程
(19)中華民國智慧財產局
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本發明提供一種晶背金屬化製程,包括:提供一晶圓;於晶圓之背面形成一種子層;以及利用. 化學鍍於種子層上形成一金屬層。 The present invention provides a backside ...
CN103811293B
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本发明提供了一种晶圆背面金属化的方法，在金属钛层表面形成氮化镍层以改善作为缓冲层的金属镍层的热膨胀系数，并将现有技术中通过一次物理气相沉积的金属银层的工艺改 ...
先進封裝製程WLCSP
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BGBM製程的簡介BGBM為Backside Grinding (晶背研磨) & Backside Metallization (晶背金屬化)兩種連續性的製程縮寫，稱為晶圓背面研磨和晶背金屬化， ...
功率模組晶背金屬層及銀奈米孿晶鍍膜開發與優化
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功率模組固晶製程(Die Attach)接續前道晶圓背面金屬化製程，正面臨接合材料轉型的挑戰。因此本博士論文亦研究具高度擴散速率之(111)奈米孿晶銀薄膜(Ag nanotwinned thin ...
國立臺灣大學工學院材料科學與工程學系(所) 博士論文背晶 ...
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本研究將利用優化的背晶金屬化矽晶片與DBC 基板，以固液擴散接合技術. (SLID)進行各種條件的接合，透過不同接合條件下與可靠度測試後的研究，觀. 察接合強度與介金屬層的 ...
晶圓後段製程(BGBM)
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ProPowertek 宜錦導入專業人才與先進製程， 協助您最短時間內完成晶圓薄化與背金增長(BGBM) · 多種研磨製程解決方案 · 多種背金解決方案 · 背銀厚度達15um甚至可客製化到40um ...
晶背金屬化
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晶背金屬化. 因應高速率運算所產生的熱效應，可利用裸晶背面披覆金屬層的方式來加快其導熱效率，較之傳統的Epoxy Molded 封裝晶粒其散熱效率有更好的表現。
背面金屬化製程
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可提供背面金屬濺鍍沈積(Back Side Metal Sputtering Deposition)，可以在晶圓完成了研磨等薄化步驟後，利用特殊設計的機台，自動化為客戶製備焊墊金屬層，如MOSFET需求的 ...
金屬蒸鍍沈積(Metal Evaporation for Backside Metallization)
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晶圓薄化的背面金屬化製程中Backside metallization ，金屬蒸鍍沈積，在高真空的環境，利用電子束加熱欲蒸鍍之靶材，使靶材氣化後附著在加熱的晶圓表面。