charge trapping中文：具氧化鋅鋁奈米晶粒電荷捕捉層薄膜電晶體之 ...

以堆疊式電荷儲存層提升快閃記憶體元件操作特性研究

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論文名稱(外文):, Improved Operation Characteristics of Charge Trap Flash Memory Devices by Engineering Stacked Trapping Layer ... 中文. 論文頁數: 78. 論文摘要隨著 ...

元件可靠度

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成電荷陷入(Charge Trapping)或介面狀態. 產生(Interface-State Generation)（圖五）。 這些在氧化層中的電荷會使得元件的特性. 退化，例如臨界電壓(Threshold Voltage ...

快閃記憶體的路線之爭

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浮動閘極(floating gate)一派用多晶矽(polycrystalline)，常用來做閘極的導電物質；電荷捕捉(charge trap)一派則用氮化矽(silicon nitride)此種絕緣體。

藉由離子轟擊法增進NAND型非揮發記憶體之電荷捕捉釋放 ...

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The analysis demonstrated that ion bombardment could improve the charge trapping/detrapping efficiency obviously. The program/erase speed was fast either. The ...

行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告

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一、中文摘要. 近年來快閃記憶體在非揮發性記憶體的 ... depth the trapping mechanisms of Charge Trapping ... the distributions of these localized charges to keep the ...

邁向高密度儲存應用－鐵電記憶體的原理、挑戰與展望

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至於fatigue 則來自於反覆操作下於TiN 電極/HfO2 鐵電層介面處TiOx 所產生的氧空缺並造成電荷捕獲(charge trapping)，如圖十所示，這些被捕獲的電荷可能 ...

電荷陷阱式快閃記憶體元件中堆疊矽化鍺於穿隧氧化層與 ...

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繁體中文; English; 简体中文 ... Simulation of SiGe Stacked in Tunneling Layer and Charge Distribution of High-K Charge Trapping Layer in Charge-Trap Flash Device.

高介電層閘極金氧半電晶體電應力產生之界面陷阱與氧化層電荷 ...

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