sc1 clean原理：RCA Clean製程
RCA Clean製程
半导体硅片RCA清洗技术
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它的基本步骤最初只包括碱性氧化和酸性氧化两步，但目前使用的RCA清洗大多包括四步，即先用含硫酸的酸性过氧化氢进行酸性氧化清洗，再用含胺的弱碱性过 ...
實驗一熱電性質與四點探針方法
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SC: Standard Clean. RCA清洗是在1965年，由美國RCA公司(Radio Corporation of America)的. Werner Kern首度提出，當時只有五個步驟: SC1, DHF, SC2, DI water, and drying.
最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)
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RCA 濕式清潔法使用於兩種不同化學配方溶液，也. 就是標準清潔液1(SC-1)及標準清潔液2(SC-2)。 標準清潔液1(standard clean 1)為NH4OH/H2O2/H2O. 比例為：1:1:5 至1: ...
濕式化學品在半導體製程中之應用
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光阻材料在經過曝光過程之後，須. 再經由顯影過程將曝光的圖案顯現出. 來，而顯影製程之原理，是利用鹼性的. 顯影液與經曝光之光阻層部份進行酸鹼. 中和反應，使其與未經光 ...
濕式清洗蝕刻台
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SC1 去除微粒子原理：H2O2 在晶圓表面形成chemical oxide (氧化作用)，同時. NH4OH 會溶解oxide。由於微粒子是以凡得瓦力吸附於晶圓表面，SC1 氧化加 ...
第四课：详解湿法刻蚀与清洗的基本药液
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SC1 清洗液是氨水、 双氧水以及水的混合物， 三者体积比例为1:2:50。 其反应温度为25摄氏度，功能是去除晶圆上的微粒杂质以及聚合物。清洗机理是氧化和电 ...
臭氧水已廣泛地被應用在許多半導體製程當中。然而
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... Clean程序中沖洗(Rinsing)的水量達30%. □ 臭氧傳輸. 臭氧化DI水製作過程中最關鍵的步驟便是臭氧由氣相傳輸至液相的過程。將臭氧由氣相傳輸至液相的濃度極大化對於降低 ...
辛耘知識分享家
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氨水、雙氧水、純水的混和液，在140 °C 下清洗。這種鹼-過氧化物混合物可以去除了有機物殘留，顆粒也被有效地去除，甚至是不溶性顆粒，因為SC-1 改變了 ...