sc1 clean原理:最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)
最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)
RCA Clean製程
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半导体硅片RCA清洗技术
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它的基本步骤最初只包括碱性氧化和酸性氧化两步,但目前使用的RCA清洗大多包括四步,即先用含硫酸的酸性过氧化氢进行酸性氧化清洗,再用含胺的弱碱性过 ...
實驗一熱電性質與四點探針方法
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SC: Standard Clean. RCA清洗是在1965年,由美國RCA公司(Radio Corporation of America)的. Werner Kern首度提出,當時只有五個步驟: SC1, DHF, SC2, DI water, and drying.
濕式化學品在半導體製程中之應用
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光阻材料在經過曝光過程之後,須. 再經由顯影過程將曝光的圖案顯現出. 來,而顯影製程之原理,是利用鹼性的. 顯影液與經曝光之光阻層部份進行酸鹼. 中和反應,使其與未經光 ...
濕式清洗蝕刻台
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SC1 去除微粒子原理:H2O2 在晶圓表面形成chemical oxide (氧化作用),同時. NH4OH 會溶解oxide。由於微粒子是以凡得瓦力吸附於晶圓表面,SC1 氧化加 ...
第四课:详解湿法刻蚀与清洗的基本药液
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SC1 清洗液是氨水、 双氧水以及水的混合物, 三者体积比例为1:2:50。 其反应温度为25摄氏度,功能是去除晶圆上的微粒杂质以及聚合物。清洗机理是氧化和电 ...
臭氧水已廣泛地被應用在許多半導體製程當中。然而
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... Clean程序中沖洗(Rinsing)的水量達30%. □ 臭氧傳輸. 臭氧化DI水製作過程中最關鍵的步驟便是臭氧由氣相傳輸至液相的過程。將臭氧由氣相傳輸至液相的濃度極大化對於降低 ...
辛耘知識分享家
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氨水、雙氧水、純水的混和液,在140 °C 下清洗。這種鹼-過氧化物混合物可以去除了有機物殘留,顆粒也被有效地去除,甚至是不溶性顆粒,因為SC-1 改變了 ...