半導體 前驅物

CVDALD用貴金屬前驅物

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開發針對次世代半導體的高純度貴金屬前驅物。 開發、提供前驅物. 本公司開發各種CVD／ALD前驅物。而且，製作半導體用薄膜的CVD設備、評估薄膜用的各種分析儀器（FE-SEM ...

半導體前驅體簡介>> 必富未上市財經網‧未上市股票股價‧未上市 ...

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原子層沉積

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原子層沉積的主要反應物有兩種化學物質，通常被稱作前驅物。前驅產物和材料表面發生連續的，自限性的反應。薄膜通過分別和不同的前驅產物進行反應緩慢沉積。原子層 ...

原子層沉積之前驅物技術

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隨著半導體領域逐漸往小尺寸及3D結構邁進，對於鍍膜沉積的覆蓋率及均勻性要求亦同步提高，傳統的化學氣相沉積(CVD)及物理氣相沉積(PVD)等技術漸漸無法 ...

原子層沉積系統ALD反應為使用兩種或更多種稱為前驅物的 ...

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這些前驅物以一種連續的且自我限制的方式，一次與一種材料的表面反應。通過多個ALD循環，薄膜被緩慢沉積。 ALD為製造半導體元件的重要製程，並且是可用於合成納米材料主要 ...

原子層沉積系統原理及其應用

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基材表面必須提供能和第一前驅物(金屬化合物) ... 在原子. 層沉積窗口，薄膜沉積速率是固定的，不隨溫度改. 變，而通常無機金屬前驅物比有機金屬前驅物有較 ... energy) (~ 60 ...

原子層沉積製程技術─前驅物測試與設備開發

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原. 子層沉積（atomic layer deposition, ALD）因具有. 高階梯覆蓋率、高厚度均勻性、低溫製程及原子級. 膜厚控制等優勢，能滿足上述半導體產業需求而受. 到重視，相關製程 ...

稀土材料在先進半導體的應用與其ALD前驅物市場

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這些含有稀土材料的電晶體內介電薄膜必須藉由先進的ALD方法成膜，其前驅物全球市場與主要提供稀土前驅物之供應商也一併盤點。

稀土類ALD前驅物之半導體應用

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稀土金屬具有獨特的電性與磁性，使其在半導體業、製造業、化工業皆具有不可替代性。稀土化合物可應用在小至手機、電動車，大到甚至飛彈導航系統中， ...