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1nm以下

「1nm以下」文章包含有:「1nm以下關鍵技術Intel研發2D晶片製程」、「IBM與三星以VTFET設計實現1nm以下製程技術,但Intel已經...」、「IMEC發表以Chiplet為基礎1奈米以下製程」、「MoS2電晶體閘極長度突破1nm以下」、「不要EUV光刻机,让1nm以下的芯片自己长出来」、「台積電1nm以下製程取得重大突破,已發表於Nature」、「台積電跑在最前面!1nm以下製程「新突破」,IBM註定無法超越」、「將CFET用於1nm及以下節點製程」、「摩爾定律將延續,imec制定...

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1nm以下關鍵技術Intel研發2D晶片製程
1nm以下關鍵技術Intel研發2D晶片製程

https://news.xfastest.com

10nm製程以下製造難度加大,未來10年還要進入1nm製程以下節點,迫切需要更先進的技術。 於此領域,Intel率先在22nm製程進入FinFET電晶體時代,於20A、18A ...

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IBM與三星以VTFET設計實現1nm以下製程技術,但Intel已經 ...
IBM與三星以VTFET設計實現1nm以下製程技術,但Intel已經 ...

https://m.eprice.com.tw

不過,台積電已經在今年5月宣布與台灣大學、麻省理工學院共同研究,透過鉍金屬特性突破1nm製程生產極限,讓製程技術下探至1nm以下。

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IMEC 發表以Chiplet 為基礎1 奈米以下製程
IMEC 發表以Chiplet 為基礎1 奈米以下製程

https://technews.tw

比利時微電子研究中心(IMEC) 發表1 奈米以下製程藍圖,分享對應電晶體架構研究和開發計畫。 外媒報導,IMEC 製程藍圖顯示,FinFET 電晶體將於3 奈米達 ...

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MoS2電晶體閘極長度突破1nm以下
MoS2電晶體閘極長度突破1nm以下

https://www.edntaiwan.com

研究團隊在該期刊論文中介紹如何成功製備具有垂直結構的超小型MoS2電晶體,首次實現0.34nm的有效閘極長度。 此外,研究人員也介紹如何實現sub-1nm閘極長的 ...

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不要EUV光刻机,让1nm以下的芯片自己长出来
不要EUV光刻机,让1nm以下的芯片自己长出来

https://mp.ofweek.com

目前芯片制造领域的技术,主要就是光刻技术。 而光刻技术下,光刻机的分辨率就决定了芯片的工艺,比如7nm以下的芯片,必须用到EUV光刻机;而7-45nm的 ...

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台積電1nm 以下製程取得重大突破,已發表於Nature
台積電1nm 以下製程取得重大突破,已發表於Nature

https://news.xfastest.com

台積電於17日聯合台大、麻省理工宣佈,在1nm 以下晶片方面取得重大進展,研究成果已發表於Nature。 ... 該研究發現,利用半金屬鉍Bi 作為二維材料的接觸電極 ...

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台積電跑在最前面!1nm以下製程「新突破」,IBM註定無法超越
台積電跑在最前面!1nm以下製程「新突破」,IBM註定無法超越

https://inf.news

近日,美國科技巨頭IBM突然宣布,已經造出了全球第一顆2nm製程半導體晶片,據官方介紹稱,新的技術可以在150平方毫米大小面積內,容納500億顆電晶體。

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將CFET用於1nm及以下節點製程
將CFET用於1nm及以下節點製程

https://www.eettaiwan.com

互補式場效電晶體(CFET)在4T軌道單元設計中優於叉型片電晶體(forksheet transistor),使其成為1nm以下邏輯技術節點的極具吸引力的元件架構。

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摩爾定律將延續,imec 制定1 奈米以下製程技術與晶片設計 ...
摩爾定律將延續,imec 制定1 奈米以下製程技術與晶片設計 ...

https://technews.tw

imec 就提出1 奈米以下至2 埃米(A2)半導體製程技術和晶片設計路徑,延續摩爾定律。 Luc van den Hove 提到幾代器件架構,從FinFET 器件到插板和原子通道 ...

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為1nm 以下工藝做準備,Intel 正研發2D TMD 材料技術
為1nm 以下工藝做準備,Intel 正研發2D TMD 材料技術

https://qooah.com

按照摩爾定律,未來10年晶片要實現1nm 以下節點,這需要更加先進的技術才能實現。目前Intel 率先在22nm 節點進入FinFET 晶體管,而在20A、18A 節點 ...