ekc成分
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半导体晶圆的清洗方法
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EKC溶液的主要成分为：(1)羟胺(HDA)；(2)2-(2-氨基乙氧基)乙醇(DGA)；(3)邻苯二酚(Catechol)；(4)水。
CN102034679B
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所述清洗液可是业内熟知的EKC溶液，所谓EKC溶液是指杜邦公司开发的一款专门用于清洗晶圆表面残余物的清洗液，其主要成分包含：(1)羟胺(HDA)，用于分解聚合物；(2)2-(2-氨 ...
(12)发明专利申请
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[0003] EKC 溶液的主要成分为:(1)羟胺(HDA);(2)2-(2-氨基乙氧基)乙醇(DGA);(3). 邻苯二酚(Catechol);(4)水。 [0004] 用来清洗EKC 溶液的IPA的分子式为(CH),CHOH,可以与 ...
使用EKC® 化学品去除蚀刻残留物
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蚀刻残留物去除工艺可将聚合物从晶圆表面清除。这是通过将常用的蚀刻后化学品EKC®添加到喷雾设备中实现的。 蚀刻后EKC® 清洗处理. 将EKC® 溶液严格控制在一定浓度范围 ...
半导体晶圆的清洗方法
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EKC溶液的主要成分为(1)羟胺(HDA) ； O) 2_ (2_氨基乙氧基)乙醇(DGA) ； (3) 邻苯二酚(Catechol) ； (4)水。用来清洗EKC溶液的IPA的分子式为(CH3)2CHOH,可以与水任意比互溶。
安全資料表
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部分3: 成分辨識資料. 純物質／混合物. : 純物質. 3.1 純物質. 化學文摘社登記號碼(CAS. No.) : 8002-74-2. EC-編號. : 232-315-6. 危害成分. 成分. 分類. 濃度或濃度範圍.
(12) 发明专利申请
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[0021] 可选地,所述EKC 清洗的方式包括浸泡、冲刷或漂洗,所述EKC溶液的有效成分为. 盐酸羟胺,或者为羟胺和氨水,或者为含有-NH-OH 基团的溶液。 [0022] 本发明中所涉及到的 ...
工學院半導體材料與製程設備學程
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EKC265 26 分鐘(去離子水潔淨分兩次)如圖4.10，由SEM 圖可以. 得知：EKC 265 清洗時間26 分鐘加上兩次去離子水清洗時間可以完全. 的將殘留的聚合物物質清除乾淨，而鋁銅金屬有 ...
最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)
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3.化學污染物. 一般化學污染物可分為酸、鹼、凝集性有機物、摻雜等四種。 (1)無機物：. 包括H2SO4/H2O2 清洗溶液清洗後，殘留在晶圓表面的成份與無塵室中 ...