molecular beam epitaxy中文
「molecular beam epitaxy中文」熱門搜尋資訊
電漿輔助式分子束磊晶系統
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分子束磊晶法(Molecular Beam Epitaxy, MBE) 是以真空蒸鍍的方式進行磊晶，蒸發的分子以極高的熱速率，直線前進到磊晶基板之上，以快門阻隔的方式，控制蒸發分子束，獲得超陡介面。
分子束磊晶
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分子束磊晶（英語：Molecular beam epitaxy, MBE）是使單晶材料生長的一種方法，由貝爾實驗室的J. R. 亞瑟（J. R. Arthur）和卓以和（Alfred Y. Cho）於1960年代後期發明。
化合物半導體之分子束磊晶技術
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分子束磊晶技術(molecular beam epitaxy,. MBE)(1,2) 係於高真空度(high vacuum, HV) 之下，將. 分子束(molecular beam) 或化學束(chemical beam).
MBE Molecular beam epitaxy。分子束磊晶法。
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解釋頁 MBE Molecular beam epitaxy。 分子束磊晶法。 是以真空蒸鍍的方式進行磊晶，蒸發的分子以極高的熱速率，直線前進到磊晶基板之上，以快門阻隔的方式，控制蒸發分子 ...
分子束磊晶(MBE)
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科學家將單晶薄膜稱為「磊晶(Epitaxy)」，必須在非常嚴格的條件下才能成長出來，目前在實驗室用來成長磊晶最簡單的方法就是使用「分子束磊晶(MBE：Molecular Beam ...
分子束外延
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分子束外延（英语：Molecular beam epitaxy, MBE）是使单晶材料生长的一种方法，由贝尔实验室的J. R. 亚瑟（J. R. Arthur）和卓以和（Alfred Y. Cho）于1960年代后期发明。
單元05 MBE磊晶技術
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分子束磊晶法(Molecular Beam Epitaxy, MBE) 是以真空蒸鍍的方式進行磊晶，蒸發的分子以極高的熱速率，直線前進到磊晶基板之上，以快門阻隔的方式，控制蒸發分子束，獲得超陡介面。
磊晶實驗室
https://in.ncu.edu.tw
儀器中文名稱：分子束磊晶系統; 儀器英文名稱：Molecular Beam Epitaxy; 儀器英文簡稱：MBE; 儀器廠牌及型號：Riber MBE 32P; 儀器購置日期：1992/06; 儀器功用：
分子束磊晶成長系統簡介
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分子束磊晶(Molecular Beam Epitaxy, MBE)、. 是一種近二十年來發展亟爲快速的技術,尤其在半導. 體材料上更有著驚人的成就。MBE本質上是一種質. 空蒸鍍技術,一般的真空蒸 ...
電漿輔助式分子束磊晶應用於氮化鎵的成長
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此後，各式各樣的分子束磊晶系統應運而生，. 如以氣體為材料源的金屬有機分子束磊晶(metal organic molecular beam epitaxy, MO-MBE)、及利. 用RHEED 的相位鎖定分子束磊晶( ...