rdson公式
「rdson公式」熱門搜尋資訊
![rdson公式](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/rdson%E5%85%AC%E5%BC%8F.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
「rdson公式」文章包含有:「技术优势」、「導通電阻|電子小百科」、「靜態電性測試機」、「簡介」、「MOSFET应用参数理论详解」、「关于MOS管的Rds学习转载」、「菜鳥選擇MOSFET的四步驟!」、「MOSFET是電氣系統一些最基本的元件,但隨著製造...」、「解读SiCMOSFET关键参数——Rds(on)」、「mos管的参数Rds(on)什么意思,突然不懂了」
查看更多![技术优势](https://api.multiavatar.com/%E6%8A%80%E6%9C%AF%E4%BC%98%E5%8A%BF-%E8%8B%8F%E5%B7%9E%E4%B8%9C%E5%BE%AE%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E8%82%A1%E4%BB%BD%E6%9C%89%E9%99%90%E5%85%AC%E5%8F%B8.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
技术优势
http://www.orientalsemi.com
利用相邻的pn柱之间相互耗尽的原理,将漂移区的浓度可以提升,使得器件导通时电阻率降低。
![導通電阻| 電子小百科](https://api.multiavatar.com/%E5%B0%8E%E9%80%9A%E9%9B%BB%E9%98%BB%7C+%E9%9B%BB%E5%AD%90%E5%B0%8F%E7%99%BE%E7%A7%91-+Electronics+Trivia+%7C+%E7%BE%85%E5%A7%86%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E9%9B%86%E5%9C%98.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
導通電阻| 電子小百科
https://www.rohm.com.tw
MOSFET的消耗功率是用汲極-源極間導通電阻(RDS(ON))計算。 MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的導通電阻乘以汲極電流(ID)的平方表示。
![靜態電性測試機](https://api.multiavatar.com/%E9%9D%9C%E6%85%8B%E9%9B%BB%E6%80%A7%E6%B8%AC%E8%A9%A6%E6%A9%9F.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
靜態電性測試機
https://www.weimin.com.tw
... RDSON 公式. 如下: RDSON=V DS/IDS. Page 4. gFS基於: [MIL750 3475.2]. 目的. 此測試方法的目的是建立一個基本的測試電路,用於確定正向跨導(gFS)使用脈衝直流. 測試 ...
![簡介](https://api.multiavatar.com/%E7%B0%A1%E4%BB%8B-+MOSFET.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
簡介
https://u.dianyuan.com
*RDSON(MAX) = R(T)*RDSON(MAX). POWER RELATED-CURRENT RATING. Page 18 ... EAS AVALANCHE ENERGY 計算公式如下: EAS = 1/2*L*I*I[V(BR)DSS/(V ...
![MOSFET应用参数理论详解](https://api.multiavatar.com/MOSFET%E5%BA%94%E7%94%A8%E5%8F%82%E6%95%B0%E7%90%86%E8%AE%BA%E8%AF%A6%E8%A7%A3+-+%E7%BB%B4%E7%A7%91%E5%8F%B7.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
MOSFET应用参数理论详解
https://mp.ofweek.com
另外Rds(on)也是Tj的函数,一般可用如下公式进行计算:. a是依赖于沟道技术参数,工艺和使用技术定下来,a是常量。比如英飞凌的OptiMOS功率 ...
![关于MOS管的Rds学习转载](https://api.multiavatar.com/%E5%85%B3%E4%BA%8EMOS%E7%AE%A1%E7%9A%84Rds%E5%AD%A6%E4%B9%A0%E8%BD%AC%E8%BD%BD+-+CSDN%E5%8D%9A%E5%AE%A2.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
关于MOS管的Rds学习转载
https://blog.csdn.net
导通电阻Rds(ON)是场效应管(MOSFET)的一项重要参数,mos管在越来越多的新能源和汽车电子应用中,都能发现MOSFET的身影,而且很多应用要求超低导通 ...
![菜鳥選擇MOSFET的四步驟!](https://api.multiavatar.com/%E8%8F%9C%E9%B3%A5%E9%81%B8%E6%93%87MOSFET%E7%9A%84%E5%9B%9B%E6%AD%A5%E9%A9%9F%EF%BC%81+-+%E6%99%82%E7%A7%91SHIKUES.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
菜鳥選擇MOSFET的四步驟!
https://www.shikues.com
作為壹種快速比較準備用在開關應用裏MOSFET的方式,設計者經常使用壹個單數公式,公式包括表示傳導損耗RDS(on)及表示開關損耗的Qg:RDS(on) xQg。這個 ...
![MOSFET是電氣系統一些最基本的元件,但隨著製造 ...](https://api.multiavatar.com/MOSFET%E6%98%AF%E9%9B%BB%E6%B0%A3%E7%B3%BB%E7%B5%B1%E4%B8%80%E4%BA%9B%E6%9C%80%E5%9F%BA%E6%9C%AC%E7%9A%84%E5%85%83%E4%BB%B6%EF%BC%8C%E4%BD%86%E9%9A%A8%E8%91%97%E8%A3%BD%E9%80%A0+...+-+Medium.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
MOSFET是電氣系統一些最基本的元件,但隨著製造 ...
https://medium.com
... 公式如下:. • 《公式一》 • 結溫=最大環境溫度+(熱阻×功率耗散). 根據這個方程可解出系統的最大功率耗散,即按定義相等於I2×RDS(ON)。由於設計人員 ...
![解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)](https://api.multiavatar.com/%E8%A7%A3%E8%AF%BBSiC+MOSFET%E5%85%B3%E9%94%AE%E5%8F%82%E6%95%B0%E2%80%94%E2%80%94Rds%28on%29.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)
http://www.ac-semi.com
计算方式:通常情况下,比导通电阻可以通过公式Rsp = Rdson × 有源区面积来计算。 意义:Rsp 的数值越小,表明技术水平越高。也就是说,在相同的导通 ...
![mos管的参数Rds(on)什么意思,突然不懂了](https://api.multiavatar.com/mos%E7%AE%A1%E7%9A%84%E5%8F%82%E6%95%B0Rds%28on%29%E4%BB%80%E4%B9%88%E6%84%8F%E6%80%9D%EF%BC%8C%E7%AA%81%E7%84%B6%E4%B8%8D%E6%87%82%E4%BA%86+-+21ic%E7%94%B5%E5%AD%90%E6%8A%80%E6%9C%AF%E8%AE%BA%E5%9D%9B.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
mos管的参数Rds(on)什么意思,突然不懂了
https://bbs.21ic.com
随着vds逐渐增大,mos进入饱和区,此时rds 是比较小还是比较大呢,是Rds(on) ? ... 看来是不能用单纯的这样公式计算了Id*Rds =Vds 。 电阻非常大。用△Vds和 ...