晶圓研磨製程
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CMP是什麼意思？製程深入介紹，清楚瞭解技術與原理！
https://www.otsuka-tw.com
所謂的CMP(化學機械研磨Chemical-Mechanical Polishing)，是指使用研磨劑(Slurry)，將晶圓減薄或是鏡面化的一道工藝。讓專業達人帶你一同揭秘， ...
TAIKO製程
https://www.disco.co.jp
TAIKO製程，與以往的背面研磨不同，在對晶圓進行研磨時保留晶圓外圍的邊緣部份(約3 mm左右)，只對圓內進行研磨薄型化之技術。 TAIKOプロセス ...
TWI447797B
https://patents.google.com
當使用如上所述的含有研磨粒的研磨液等來對矽晶圓進行研磨時，需要高加工精度及晶圓的平坦度。尤其於矽晶圓製程(process)的最終研磨步驟中的精研磨中，需要表面無缺陷且 ...
TWI460780B
https://patents.google.com
此外，在半導體晶圓上製造積體電路之後，會對半導體晶圓進行切割以形成多個晶片(chip)。一般來說，上述的切割製程通常是先於晶圓的正面貼附研磨貼片(grinding tape)，並 ...
應用田口實驗設計方法改善半導體晶圓研磨製程之研究
https://ndltd.ncl.edu.tw
本研究主要是探討晶圓研磨薄化中的研磨製程(Grinding)，主要是晶圓通過晶背研磨後厚度控制在客戶指定規格內。而拋光的製程在改善上製程所留下的細微缺點，並且提升晶圓的 ...
晶圓研磨拋光均勻度不佳？
https://www.goodtechnology.com
晶圓研磨及拋光製程決定晶圓最終厚度及表面粗糙度，製程中振動訊號過大，同樣會造成晶圓平整度不佳、表面粗糙度不佳、倒角異常、邊拋異常等結果，藉由機台監測， ...
晶圓研磨薄化後使用電漿製程以增加晶片強度之方法
https://patents.google.com
本發明之晶圓研磨方法採用乾式拋光製程，可使晶圓具備較高的抗折強度。另一方面，在拋光製程後進行電漿製程並於晶圓的背側表面形成破壞紋路，破壞紋路可有效地吸附汙染雜質 ...
濕式拋光(如CMP等等)
https://www.disco.co.jp
矽晶圓元件隨著IC封裝短小化，薄型化，內置晶粒也需要跟著薄化，因此為了提高強度，晶圓背面研磨後會進行應力釋放的製程。此外，用於高輝度LED藍寶石基板(Al2O3)，高速 ...