極紫外光刻機
「極紫外光刻機」熱門搜尋資訊
極紫外光微影製程
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極紫外光微影（英語：extreme ultraviolet lithography，中國大陸稱為極紫外光刻，簡稱「EUV」或「EUVL」）又稱作超紫外線平版印刷術, 是一種使用極紫外光波長的微影 ...
全球瘋搶EUV 曝光機！究竟是摩爾定律的救命曙光
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極紫外光（Extreme ultraviolet, EUV）是波長小於13.5 奈米的光，使用EUV 作為光源的曝光機，即為EUV 曝光機。由於造價昂貴、製程繁複、貨源稀少，關鍵 ...
High
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事實上，EUV為「極紫外光」縮寫（Extreme ultraviolet, EUV），它是一道波長小於13.5奈米的光，而使用EUV作為光源的曝光機，就是所謂的EUV曝光機/光刻機。
ASML已出貨第二台High NA EUV光刻機，市場認為可能是 ...
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這些機器每台約價值3.5億歐元（合3.7億美元），這種昂貴且先進的機台可以讓客戶避免雙重或四重曝光（為了微縮）所造成的良率低情況，具有高數值孔徑的新型 ...
藉助CO 2 高功率雷射系統和錫產生EUV輻射
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製造晶片時TRUMPF高功率雷射放大器發揮關鍵作用：因為藉助它可生成發光等離子體，從而提供極紫外光(EUV) 曝光晶圓。TRUMPF與全球最大的光刻系統製造商ASML以及光學元件 ...
整理包／英特爾拿下全球首台高數值孔徑EUV設備一 ...
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EUV（Extreme Ultraviolet Lithography）曝光機採用的光源是「極紫外光」，波長13.5nm，可以刻出更細緻的電路圖，但也因為波長太短，容易被空氣吸收，因此必須在真空環境中 ...
極紫外光(EUV)微影技術：半導體製造的革命性突破
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極紫外光(EUV)光刻技術是半導體製造業的一大突破，使用13.5納米波長光源，在矽晶片上印製極其精細的電路圖案。此技術的發展經歷了數十年， ...
极紫外光刻
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极紫外光刻（英语：extreme ultraviolet lithography，台湾称为极紫外光微影，简称“EUV”或“EUVL”）又稱作超紫外線平版印刷術, 是一种使用極紫外光波長的光刻技術，目前 ...
佳能的半導體光刻機業務再度崛起
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佳能的半導體光刻機業務恢復了往昔的勢頭。佳能未能生産ArF浸沒式光刻機和EUV（極紫外）光刻機，曾經在與荷蘭阿斯麥（ASML）和尼康的開發競爭中敗下陣 ...