次臨界擺幅

1.1 環繞式閘極電晶體與多晶矽薄膜電晶體回顧

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亞閾值擺幅

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亞閾值擺幅是衡量晶體管開啓與關斷狀態之間相互轉換速率的性能指標，它代表源漏電流變化十倍所需要柵電壓的變化量，又稱為S因子，S越小意味着開啓關斷速率ON/OFF越快。

半導體廠奈米級的奇「積」！科學家挑戰突破電晶體大小的極限

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其中，次臨界擺幅（subthreshold swing）的定義為當汲極電流增加十倍時，所需要增加的閘極電壓，是衡量電晶體開、關狀態相互轉換的速率的一項重要性能指標。 致謝. 本文源 ...

奈米科技研究所

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次臨界斜率或次臨界擺幅(Subthreshold Swing , mV/dec)為一典型的參數，用來描述. 閘極對通道的控制能力，在一定量的閘極電壓下，相對增加多少的汲極電流，它也表示. 了 ...

次臨界電流

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次臨界電流，或稱次臨界漏電流（英語：subthreshold leakage），是金屬氧化物半導體場效電晶體閘極電壓低於電晶體線性導通所需的閾值電壓、處於截止區（或稱次臨界 ...

第一章序論

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次臨界擺幅可以說是TFT 元件的導通/關閉的指標，其定義如(2-3)，其中Cox. 為閘極氧化層電容、CD 為通道空乏層之電容值、Cit 為閘極氧化矽層/通道層. 介面處和晶界之電容值 ...

第一章緒論

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圖3-5 是將這兩種元件的次臨限擺幅(Subthreshold Slope)做成長條圖的標示，並且. 加上誤差(標準差)。表3-2 是所有元件的次臨限擺幅的平均和誤差的比較。從長條圖中. 可以 ...

臨界電壓可調式延伸閘極電晶體之生醫感測研究Study of ...

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在圖18 中元件ID-VG 圖可以看到，紅線與藍線的次臨界擺幅(SS)都是61 mV/decade， on/off ratio 也相同。經過計算後兩ID-VG 曲線的threshold voltage 相差300 mV，表示因為 ...

虛擬基板鍺含量對應變矽元件電性影響之研究

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... 次臨界擺幅升高。 另外,次臨界擺幅又可代表閘極對通道的控制能力,若次臨界擺幅數值越大,表示閘極對通. 道的控制能力越差。所以,整體來看應變矽技術雖然可以改善元件的 ...

超陡峭次臨界擺幅砷化銦鎵負電容金氧半場效電晶體之研究

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在微縮元件的過程中降低操作電壓(Supply Votage；Vdd) 是必要的，在傳統的金氧半場效電晶體(MOSFET)次臨界擺幅(Subthreshold Swing；SS) 在室溫最小值下被限制在60mV/dec， ...