真空濺鍍原理

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濺鍍的原理(Principle). 於一密閉製程真空腔體內部通入Argon惰性氣體，於靶材表面及基板間施加一高電壓，此一高電壓將Argon氣體游離為Argon正離子(Ar+)，此時Argon正 ...

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而濺鍍之原理是在真空腔體中以靶材為陰極，通入惰性氣體，氣體內少量的自由電子受到外加電場作用，電子在電場中會被加速獲得能量，在低壓分子間平均自由徑比常壓長，故電 ...

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濺鍍一般是在充有惰性氣體的真空系統中，通過高壓電場的作用，使得氬氣電離，產生氬離子流，轟擊靶陰極，被濺出的靶材料原子或分子沉澱積累在半導體晶片或玻璃、陶瓷上而形成 ...

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其主要原理是在真空環境，將陰極加至數百伏特電壓，讓通入的氣體因高電壓而起輝光放電作用形成電漿，並利用電漿的正離子轟擊金屬靶材表面，以能量轉移方式，將靶材原子擊出而濺 ...

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PVD鍍膜（離子鍍膜）技術，其具體原理是在真空條件下，採用低氣壓、大電流的電弧放電技術，利用氣體放電使靶材蒸鍍並使被蒸物與氣體都產生電離，利用電子的加速作用，使被蒸鍍物及 ...

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真空濺鍍屬於物理氣象沉積法的一種，不拘金屬材料、非金屬材料均可應用，因此被廣泛應用於各種產業。真空濺鍍的基本原理是在真空鎗體內，以高壓放電於微量氣體(通常為氬氣)，來產生電漿，使其成為電子與離子游離的高能狀態。

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濺鍍即是利用上述濺射現象所發展出來的鍍膜技術。通常是藉由高能量的離子束或原子束轟擊待鍍材料，基於上述動量轉移原理，待鍍材料表面的原子將因此獲得額外動能（能量可 ...

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達到熔化溫度，使之熔解然後氣化，此時氣態之薄膜材料之原子或分子因同時具有加溫後的動能，而飛向基座，到達並附著在基板表面上的一種鍍膜技術。