碳化矽氮化鎵比較
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「碳化矽氮化鎵比較」文章包含有:「5G時代熱門半導體:碳化矽、氮化鎵有什麼差別?」、「GaN和SiC怎麼選?重點在於可靠性」、「SiCvsGaN:寬能隙半導體的不同世界」、「【產業前鋒】特斯拉減用碳化矽效應台廠押寶氮化鎵後勢看好」、「【產業研究報告】第三代矽晶圓「碳化矽」與「氮化鎵」」、「【科技人帶路】化合物半導體傳教士!GaNSystems副總裁莊淵棋」、「功率半導體元件的主流爭霸戰」、「氮化鎵(GaN)何去何從?」、「第三代半導體到底紅什麼?4張圖秒...
查看更多![5G 時代熱門半導體:碳化矽、氮化鎵有什麼差別?](https://api.multiavatar.com/5G+%E6%99%82%E4%BB%A3%E7%86%B1%E9%96%80%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%EF%BC%9A%E7%A2%B3%E5%8C%96%E7%9F%BD%E3%80%81%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%E6%9C%89%E4%BB%80%E9%BA%BC%E5%B7%AE%E5%88%A5%EF%BC%9F+-+%E5%A0%B1%E6%A9%98.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
5G 時代熱門半導體:碳化矽、氮化鎵有什麼差別?
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由於 SiC、GaN 的耐受電壓與輸出功率不同,因此它們能在不同的場域下發揮性能。 ... 由於 SiC 的硬度相當高,要對此材料進行快速蝕刻是比較困難的。
![GaN和SiC怎麼選?重點在於可靠性](https://api.multiavatar.com/GaN%E5%92%8CSiC%E6%80%8E%E9%BA%BC%E9%81%B8%EF%BC%9F%E9%87%8D%E9%BB%9E%E5%9C%A8%E6%96%BC%E5%8F%AF%E9%9D%A0%E6%80%A7-+%E9%9B%BB%E5%AD%90%E6%8A%80%E8%A1%93%E8%A8%AD%E8%A8%88+-+EDN+Taiwan.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
GaN和SiC怎麼選?重點在於可靠性
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碳化矽(SiC)功率MOSFET的擊穿電壓高於1kV,這是電動車逆變器等功率應用的關鍵要求。另一方面,氮化鎵(GaN)支援比其他半導體更高許多的開關頻率,並提供更 ...
![SiC vs GaN:寬能隙半導體的不同世界](https://api.multiavatar.com/SiC+vs+GaN%EF%BC%9A%E5%AF%AC%E8%83%BD%E9%9A%99%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E7%9A%84%E4%B8%8D%E5%90%8C%E4%B8%96%E7%95%8C+-+%E9%9B%BB%E5%AD%90%E5%B7%A5%E7%A8%8B%E5%B0%88%E8%BC%AF.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
SiC vs GaN:寬能隙半導體的不同世界
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GaN Systems執行長Jim Witham也歸類SiC和GaN領域為分別適用於高功率、高壓以及中功率、中壓的應用。「GaN半導體通常跨50V至900V電壓範圍,而SiC元件則用於 ...
![【產業前鋒】特斯拉減用碳化矽效應台廠押寶氮化鎵後勢看好](https://api.multiavatar.com/%E3%80%90%E7%94%A2%E6%A5%AD%E5%89%8D%E9%8B%92%E3%80%91%E7%89%B9%E6%96%AF%E6%8B%89%E6%B8%9B%E7%94%A8%E7%A2%B3%E5%8C%96%E7%9F%BD%E6%95%88%E6%87%89%E5%8F%B0%E5%BB%A0%E6%8A%BC%E5%AF%B6%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%E5%BE%8C%E5%8B%A2%E7%9C%8B%E5%A5%BD.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
【產業前鋒】特斯拉減用碳化矽效應台廠押寶氮化鎵後勢看好
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除IGBT之外,業界更推測原本尚未成氣候的氮化鎵(GaN),有望與碳化矽分庭抗禮,因為IGBT受限先天材料特性,無法做到高頻切換,在各方面表現不如碳化矽或 ...
![【產業研究報告】第三代矽晶圓「碳化矽」與「氮化鎵」](https://api.multiavatar.com/%E3%80%90%E7%94%A2%E6%A5%AD%E7%A0%94%E7%A9%B6%E5%A0%B1%E5%91%8A%E3%80%91%E7%AC%AC%E4%B8%89%E4%BB%A3%E7%9F%BD%E6%99%B6%E5%9C%93%E3%80%8C%E7%A2%B3%E5%8C%96%E7%9F%BD%E3%80%8D%E8%88%87%E3%80%8C%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%E3%80%8D+-+%E9%89%85%E4%BA%A8%E7%B6%B2.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
【產業研究報告】第三代矽晶圓「碳化矽」與「氮化鎵」
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而第三代半導體的「碳化矽」跟「氮化鎵」運用領域不盡相同,「氮化鎵」元件,常用在電壓900V 以下,像是基地台、5G 通訊、充電器。「碳化矽」是電壓大於 ...
![【科技人帶路】化合物半導體傳教士!GaN Systems副總裁莊淵棋](https://api.multiavatar.com/%E3%80%90%E7%A7%91%E6%8A%80%E4%BA%BA%E5%B8%B6%E8%B7%AF%E3%80%91%E5%8C%96%E5%90%88%E7%89%A9%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E5%82%B3%E6%95%99%E5%A3%AB%EF%BC%81GaN+Systems%E5%89%AF%E7%B8%BD%E8%A3%81%E8%8E%8A%E6%B7%B5%E6%A3%8B.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
【科技人帶路】化合物半導體傳教士!GaN Systems副總裁莊淵棋
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「不是一桿子打翻一艘船」,莊淵棋強調,寬能隙半導體在碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)絕對不是哪些領域用,哪些領域不能用,而是從技術發展與需求應用 ...
![功率半導體元件的主流爭霸戰](https://api.multiavatar.com/%E5%8A%9F%E7%8E%87%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E5%85%83%E4%BB%B6%E7%9A%84%E4%B8%BB%E6%B5%81%E7%88%AD%E9%9C%B8%E6%88%B0%7C+%E9%9B%9C%E8%AA%8C%7C+%E8%81%AF%E5%90%88%E6%96%B0%E8%81%9E%E7%B6%B2.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
功率半導體元件的主流爭霸戰
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![氮化鎵(GaN)何去何從?](https://api.multiavatar.com/%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%EF%BC%88GaN%EF%BC%89%E4%BD%95%E5%8E%BB%E4%BD%95%E5%BE%9E%EF%BC%9F+-+EPC+Co.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
氮化鎵(GaN)何去何從?
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與碳化矽(SiC)元件相比,氮化鎵(GaN)元件的優勢是什麼? 矽基氮化鎵和碳化矽都是寬带隙半導體解決方案,與矽元件相比,它們都能夠承受更 ...
![第三代半導體到底紅什麼?4 張圖秒懂GaN、SiC 這一項關鍵技術](https://api.multiavatar.com/%E7%AC%AC%E4%B8%89%E4%BB%A3%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E5%88%B0%E5%BA%95%E7%B4%85%E4%BB%80%E9%BA%BC%EF%BC%9F4+%E5%BC%B5%E5%9C%96%E7%A7%92%E6%87%82GaN%E3%80%81SiC+%E9%80%99%E4%B8%80%E9%A0%85%E9%97%9C%E9%8D%B5%E6%8A%80%E8%A1%93.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
第三代半導體到底紅什麼?4 張圖秒懂GaN、SiC 這一項關鍵技術
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第一、二代半導體的矽與砷化鎵屬於低能隙材料,數值分別為1.12 eV 和1.43 eV,第三代(寬能隙)半導體的能隙,SiC 和GaN 分別達到3.2eV、3.4eV,因此當遇 ...
![解析未來五年SiCGaN市場應用態勢](https://api.multiavatar.com/%E8%A7%A3%E6%9E%90%E6%9C%AA%E4%BE%86%E4%BA%94%E5%B9%B4SiCGaN%E5%B8%82%E5%A0%B4%E6%87%89%E7%94%A8%E6%85%8B%E5%8B%A2+-+%E9%9B%BB%E5%AD%90%E5%B7%A5%E7%A8%8B%E5%B0%88%E8%BC%AF.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
解析未來五年SiCGaN市場應用態勢
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從市場應用狀況來看,GaN和SiC都有具體的應用在推進,而SiC技術似乎略微領先。可以肯定的是GaN和SiC都是不可或缺的好技術,但可能在應用領域上會有些許 ...