等向性蝕刻
「等向性蝕刻」熱門搜尋資訊
3.1 單晶矽非等向性濕式蝕刻
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由於單晶矽的結晶方式為鑽石立方結構，所以對某些特定的蝕刻液，如. KOH、EDP 或TMAH 來說，在不同結晶方向會呈現不同的蝕刻速率，此特性. 稱為非等向性蝕刻【72】。 其中 ...
Chap9 蝕刻(Etching)
http://140.127.114.187
反應性離子蝕刻法（Reactive Ion Etch，RIE），介於濺擊. 蝕刻與電漿蝕刻間的乾式蝕刻技術。優點為兼具非等向性. 蝕刻（ 80°~90°）及可接受的選擇性蝕刻。
乾蝕刻技術
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在進行蝕刻時如果對每個方向(xyz) 的蝕刻速率都一樣則稱為等向性蝕刻. (isotropic etching) ，這種蝕刻線寬會變大而側壁(side wall) 呈弧形，稱額外. 被蝕刻的部份為切底( ...
什麼是蝕刻(Etching)？
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乾蝕刻最大優點即是『非等向性蝕刻』(anisotropic etching)。然而，(自由基Radical)乾蝕刻的選擇性卻比濕蝕刻來得低，這是因為乾蝕刻的蝕刻機制基本上 ...
第四章個案分析與結果
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等向性蝕刻意味著，濕蝕刻不但. 會在縱向進行蝕刻，而且也會有橫向的蝕刻效果。 橫向蝕刻會導致所謂「底切（Undercut）」的現象發生，使得圖形無法精確轉. 移至晶片，如 ...
蝕刻(Etching)
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▫ 自由基蝕刻純化學反應. ▫ 高選擇性; 等向性蝕刻. 物理蝕刻. ▫ 用鈍性離子如Ar+進行轟擊. ▫ 從表面物理性地移除物質. ▫ 非等向性輪廓; 低選擇性. ▫ 範例: Ar濺鍍 ...
蝕刻技術
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▫ Isotropic (等向性):. ▫ Best to use with large geometries, when sidewall ... 以活性離子蝕刻. 為例，就是利用電漿放電方式進. 行異向性蝕刻的方法。 ▫ 在電漿的 ...
蝕刻技術(Etching Technology)www.tool
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... 蝕刻本質上乃是一種『等向性蝕刻』(isotropic etching)。等向性蝕刻意味著，濕蝕刻不但會在縱向進行蝕刻，而且也會有橫向的蝕刻效果。橫向蝕刻會導致 ...
蝕刻輪廓
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• 幫助達到非等向性蝕刻輪廓. Page 8. 15. 化學蝕刻. • 自由基蝕刻純化學反應. • 高選擇性; 等向性蝕刻. 物理蝕刻. • 用鈍性離子如Ar+進行轟擊. • 從表面物理性地移除物質.