離子植入機原理
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Ch8 Ion Implantation
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可獨立地控制摻雜物的分佈(離子的能量)和濃. 度(離子束的電流和佈植時間). 2. 非等向性的摻雜物分佈. 3. 易於達成較大的原子量如磷、砷之高濃度摻雜.
Ion Implantation
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離子佈植。 原理與質譜儀(利用電場加速＋磁場轉彎以得到固定荷質比的離子來植入晶片)一樣，只差在加速能量較大。 打離子進去後，要維持電中性。因此佈 ...
SMEN 04
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離子佈植是㇐種添加製程，利用高能量帶電離子束佈植的形式將摻雜物原子強行摻入半導體中。 可以透過摻入摻雜物來改變晶體的導電率。
大面積離子植入應用於
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低溫複晶矽使用的離子植入機與半 導體製程中的Implanter類似，具有質量 分析器，可以精確控制被植入雜質的劑 量與種類，其原理主要是利用磁場加速 對於不同雜質具有不同的 ...
奇普島之半導體歷險
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離子植入(ion implantation)是半導體摻雜的方式之一。 將欲加入的雜質先離子化，提昇雜質的能量或動能，接著利用電場加速離子運動速度及磁場改變運動方向，將經離子化的雜質直接打入矽晶片內，使雜質原子擴散進入矽晶片內部。
第八章離子佈植
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損壞過程. • 佈植的離子將能量轉移到晶格原子. – 原子被撞離. • 自由的原子與其它晶格原子產生碰撞. – 產生更多都自由的晶格原子. – 持續損壞到所有的自由原子停下來 ...
離子植入
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離子植入 (一種摻雜形式) 是積體電路製造中不可或缺的一環。隨著晶片設計的日益複雜，所需的離子植入的步驟亦相對增加。如今，具備嵌入式記憶體的CMOS 積體電路可能需要 ...
離子植入
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離子植入(ion implantation)是半導體摻雜的方式之一。 將欲加入的雜質先離子化，提昇雜質的能量或動能，接著利用電場加速離子運動速度及磁場改變運動方向，將經離子化的雜質直接打入矽晶片內，使雜質原子擴散進入矽晶片內部。
高電流離子植入機之參數最佳化選擇－以U公司為例
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為了使電晶體擁有高傳導率，離子植入技術運用鍺（Ge）元素於超淺接面（USJ）製程中，但Ge在USJ製程中劇烈的化學反應，造成高電流離子植入機的生產利用率大幅縮短，導致高電流 ...