euv光罩材質：TWI477927B
TWI477927B
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Centura Tetra EUV 先進光罩蝕刻系統
https://www.appliedmaterials.c
Centura Tetra EUV 系統藉由專門的設計，可針對EUV 光罩製程中採用的新材料及複合薄膜堆疊進行蝕刻，能在以這種反射模式操作時，符合嚴格的圖案精度、表面平滑度和缺陷等 ...
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提升EUV微影製程良率新一代光罩檢測系統幫大忙
https://www.eettaiwan.com
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極紫外光微影之高階材料檢測分析
https://www.materialsnet.com.t
相較於電子束微影，EUV干涉微影具有高吞吐量、高解析度、大面積及高密度週期性圖案化能力，搭配干涉式光柵光罩(Grating Mask)的組合，可產生直線與圓洞等 ...
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極紫外光微影光罩檢測技術
https://www.automan.tw
摘要：此篇文章對於極紫外光(EUV)微影技術所須之具多層反射膜結構之光罩，其製造過程中需要之檢測技術之發展現況做一簡介，並提出一些展望。EUV光罩之 ...
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極紫外光微影製程
https://zh.wikipedia.org
EUV光罩與傳統光罩也截然不同，具複合多塗層反射鏡(分散式布拉格反射器)的光罩可將電路圖案反射到晶圓上。這種多層膜光罩雖然可維持光罩的反射率，但另一方面會影響 ...