InP PD:技術
技術
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![InGaAsInP PD chip](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/InGaAsInP+PD+chip+-+%E9%BC%8E%E5%85%83%E5%85%89%E9%9B%BB%E7%A7%91%E6%8A%80%E8%82%A1%E4%BB%BD%E6%9C%89%E9%99%90%E5%85%AC%E5%8F%B8.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
InGaAsInP PD chip
https://www.tyntek.com.tw
產品介紹> 光通訊元件產品 > InP-based chips > InGaAs/InP PD chip. 產品總表; LED產品 · Visible LED Chips · InGaN / GaN Blue Chip · AlGaInP / Si Yellow Orange ...
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![全新光電專訪》用砷化鎵彎道超車打造全球磊晶代工廠](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E5%85%A8%E6%96%B0%E5%85%89%E9%9B%BB%E5%B0%88%E8%A8%AA%E3%80%8B%E7%94%A8%E7%A0%B7%E5%8C%96%E9%8E%B5%E5%BD%8E%E9%81%93%E8%B6%85%E8%BB%8A%E6%89%93%E9%80%A0%E5%85%A8%E7%90%83%E7%A3%8A%E6%99%B6%E4%BB%A3%E5%B7%A5%E5%BB%A0+-+%E5%B7%A5%E5%95%86%E6%99%82%E5%A0%B1.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
全新光電專訪》用砷化鎵彎道超車打造全球磊晶代工廠
https://ctee.com.tw
隨波長所需越來越長,三五族一員的磷化銦(InP)近期受到市場注意,惟其 ... 光纖傳輸LD、PD為其一,另一是走微波通訊的砷化鎵,第三是走四元的LED。
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![砷化銦鎵光偵測器磊晶片InGaAs PD epi wafer](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E7%A0%B7%E5%8C%96%E9%8A%A6%E9%8E%B5%E5%85%89%E5%81%B5%E6%B8%AC%E5%99%A8%E7%A3%8A%E6%99%B6%E7%89%87InGaAs+PD+epi+wafer+-+%E5%85%A8%E6%96%B0%E5%85%89%E9%9B%BB.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
砷化銦鎵光偵測器磊晶片InGaAs PD epi wafer
http://www.vpec.com.tw
砷化銦鎵光偵測器磊晶片(InGaAs PD Epi Wafer). 三五族化合物半導體,由於具備優異的光電轉換效率,低暗電流及高電子移動率,因此非常適合用於做為光偵測器的應用。
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![砷化銦鎵光崩潰二極體於單光子偵測器之應用](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E7%A0%B7%E5%8C%96%E9%8A%A6%E9%8E%B5%E5%85%89%E5%B4%A9%E6%BD%B0%E4%BA%8C%E6%A5%B5%E9%AB%94%E6%96%BC%E5%96%AE%E5%85%89%E5%AD%90%E5%81%B5%E6%B8%AC%E5%99%A8%E4%B9%8B%E6%87%89%E7%94%A8+-+%E5%9C%8B%E7%AB%8B%E4%BA%A4%E9%80%9A%E5%A4%A7%E5%AD%B8.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
砷化銦鎵光崩潰二極體於單光子偵測器之應用
https://ir.nctu.edu.tw
實驗中採用InGaAs/InP APD 作為單光子偵測器的核心元件。第二章為光崩. 潰二極體,文中會介紹APD 在Geiger-Mode 的操作特性、單光子探測機制與 ...
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![磷化銦(InP)在5G超高速傳輸技術之應用潛力](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E7%A3%B7%E5%8C%96%E9%8A%A6%28InP%29%E5%9C%A85G%E8%B6%85%E9%AB%98%E9%80%9F%E5%82%B3%E8%BC%B8%E6%8A%80%E8%A1%93%E4%B9%8B%E6%87%89%E7%94%A8%E6%BD%9B%E5%8A%9B+-+%E7%B6%93%E6%BF%9F%E9%83%A8.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
磷化銦(InP)在5G超高速傳輸技術之應用潛力
https://www.moea.gov.tw
InP具有電子遷移率高、耐輻射性能好、能隙帶寬度較Si大等優點,在兩大應用領域擁有關鍵優勢:(1)光通訊傳輸領域:波長為1,000 nm以上的發射和探測能力;(2) ...
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![聯亞應用於消費性產品PD量產出貨,Q1營運回升,EPS 0.22元](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E8%81%AF%E4%BA%9E%E6%87%89%E7%94%A8%E6%96%BC%E6%B6%88%E8%B2%BB%E6%80%A7%E7%94%A2%E5%93%81PD%E9%87%8F%E7%94%A2%E5%87%BA%E8%B2%A8%EF%BC%8CQ1%E7%87%9F%E9%81%8B%E5%9B%9E%E5%8D%87%EF%BC%8CEPS+0.22%E5%85%83.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
聯亞應用於消費性產品PD量產出貨,Q1營運回升,EPS 0.22元
https://tw.tech.yahoo.com
... 應用於消費性產品的PD開始量產,這是手機廠和雷射廠在全世界第一次把磷化銦(InP)放到消費性應用,預估今年額外貢獻25~30%總營收。