ingaas obirch差異：芯片失效分析中OBIRCH
芯片失效分析中OBIRCH
电性热点定位分析InGaAs，OBIRCH，EMMI有什么区别？
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电性热点定位分析InGaAs，OBIRCH，EMMI有什么区别？ · 一、InGaAs: 1.捉Defect 的时间,比CCD 短5 ~ 10 倍. · 二、OBIRCH: 利用激光束在器件表面扫描，激光束 ...
【IC器件失效點定位方式的應用：光子激發與熱輻射偵測】蔚 ...
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IC器件通電後產生電流，在異常缺陷的位置電流會和正常狀況下有差異，此電流的差異 ... 一為傳統的Si-CCD EMMI偵測的波長範圍在400nm-1200nm：另一為InGaAs EMMI可偵測 ...
電性故障分析( EFA )
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InGaAs 因為能隙較小，可偵測的波長就比較長，範圍約在900nm 到1700nm 之間，已是紅外線的波段。隨著元件製程越驅縮小，操作電壓也隨之降低，熱載子的能量也跟著變小，因此 ...
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)
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砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同，都是用來偵測故障點定位，找亮點、熱點(hot spot)，偵測電子-電洞結合與熱載子所激發 ...
EMMI 的原理及应用
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1. EMMI 的基本原理. 2. Advanced EMMI (InGaAs) 简介. 3. EMMI 的应用及实际失效案例分析. 4. OBIRCH 与EMMI 的区别. 5. 目前的发展现状 ...
LED漏電位置定位之方法
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Obirch與Emmi都適合用來偵測LED的漏電位置，在這邊我們先詳細介紹EMMI給 ... 又可以分為Cooled CCD、MCT、InGaAs三種，基本上差異在偵測波長的不同。
漏电定位分析EMMI，OBIRCH
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OBIRCH正是基于半导体的这种效应的新型高分辨率微观缺陷定位技术，该技术依托于背面光发射显微镜，可以在大范围内准确并迅速定位集成电路中的微小失效点， ...