ingaas obirch差異
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电性热点定位分析InGaAs,OBIRCH,EMMI有什么区别? · 一、InGaAs: 1.捉Defect 的时间,比CCD 短5 ~ 10 倍. · 二、OBIRCH: 利用激光束在器件表面扫描,激光束 ...
【IC器件失效點定位方式的應用:光子激發與熱輻射偵測】蔚 ...
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IC器件通電後產生電流,在異常缺陷的位置電流會和正常狀況下有差異,此電流的差異 ... 一為傳統的Si-CCD EMMI偵測的波長範圍在400nm-1200nm:另一為InGaAs EMMI可偵測 ...
電性故障分析( EFA )
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InGaAs 因為能隙較小,可偵測的波長就比較長,範圍約在900nm 到1700nm 之間,已是紅外線的波段。隨著元件製程越驅縮小,操作電壓也隨之降低,熱載子的能量也跟著變小,因此 ...
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)
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砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同,都是用來偵測故障點定位,找亮點、熱點(hot spot),偵測電子-電洞結合與熱載子所激發 ...
芯片失效分析中OBIRCH
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低阻抗短路(<10ohm)的问题分析常用于分析一些未开盖的样品测试,以及大型PCB上的金属线路及元器件的失效定位,金属层遮挡OBIRCH及INGAAS无法侦测的漏电(Leakage)、 ...
EMMI 的原理及应用
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1. EMMI 的基本原理. 2. Advanced EMMI (InGaAs) 简介. 3. EMMI 的应用及实际失效案例分析. 4. OBIRCH 与EMMI 的区别. 5. 目前的发展现状 ...
LED漏電位置定位之方法
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Obirch與Emmi都適合用來偵測LED的漏電位置,在這邊我們先詳細介紹EMMI給 ... 又可以分為Cooled CCD、MCT、InGaAs三種,基本上差異在偵測波長的不同。
漏电定位分析EMMI,OBIRCH
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OBIRCH正是基于半导体的这种效应的新型高分辨率微观缺陷定位技术,该技术依托于背面光发射显微镜,可以在大范围内准确并迅速定位集成电路中的微小失效点, ...