pHEMT：利用HEMT 和PHEMT 改善無線通訊電路中的增益、速度和雜訊
利用HEMT 和PHEMT 改善無線通訊電路中的增益、速度和雜訊
HEMTs和PHEMTs都是場效電晶體(FET)的一種變體，適用於單片微波積體電路(MMIC)的製造。HEMT和PHEMT結構將移動載流子與摻雜離子物理隔離，並防止光學聲子和離子化雜質 ...。其他文章還包含有：「pHEMT」、「PHEMT」、「PHEMT」、「以0.15μmpHEMT實現室溫兆赫波輻射源之研究Researchon...」、「但pHEMT在操作電壓效率上比HBT有優勢」、「待機耗電流較低、體積小等特色，故在符合行動電話產品發展...」、「微波通訊先進技術」、「...
查看更多 離開網站ByCadence本文要點高電子遷移率電晶體(Highelectronmobilitytransistors，HEMTs)和應變式異質接面高遷移率電晶體(pseudomorphichighelectronmobilitytransistors，PHEMTs)因其獨特的、可提高性能的特點而大受歡迎在HEMT結構中，高電子遷移率是由於摻雜的寬頻半導體與未摻雜的窄帶隙半導體並列在一起造成的HEMT和PHEMT常見於行動電話、衛星電視接收器、雷達和低雜訊放大器用於無線通訊放大器和轉換器的有源器件需要具備高增益、高速度和低雜訊的特點。當用於放大器和轉換器的元件表現出這些增強的特性時，系統的性能會自動提升。在毫米...
pHEMT
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pHEMT ... 是用GaAs（砷化鉀）生產的微波元件結構的一種。 ... 另外，pHEMT亦具有低雜訊的特點，因此在20GHz以上的高頻微波通訊上，pHEMT有一定的市場地位。
PHEMT
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PHEMT（Pseudomorphic HEMT），贗高電子遷移率電晶體： PHEMT是對高電子遷移率電晶體（HEMT）的一種改進結構，也稱為贗調製摻雜異質結場效應電晶體（PMODFET）。
PHEMT
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PHEMT是對高電子遷移率晶體管（HEMT）的一種改進結構，也稱為贗調製摻雜異質結場效應晶體管（PMODFET）。
以0.15μm pHEMT實現室溫兆赫波輻射源之研究Research on ...
https://ir.nctu.edu.tw
本論文於晶片系統設計中心(CIC) WIN 0.15μm pHEMT. 製程下線，以穩懋半導體(WIN semiconductor) pHEMT 為樣. 品，量測樣品於室溫操作下之兆赫波段輻射特性。我們量測.
但pHEMT在操作電壓效率上比HBT有優勢
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... pHEMT要有相對的高單體成本，但pHEMT在操作電壓效率上比HBT有優勢，因為HBT需要極高的開機電壓，所以無法在低於2.5V的狀態下繼續操作或維持高效能，此外，pHEMT元件在 ...
待機耗電流較低、體積小等特色，故在符合行動電話產品發展 ...
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PHEMT因為砷化銦鎵(InGaAs)的加入，特別適用於RF Switch的應用使得它未來在電腦與電腦間的無線區域網路(Wireless Local Area Network, WLAN)、用以固網長途無線傳輸的無線 ...
微波通訊先進技術
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PD50-1x/32/42. 0.5μm E/D pHEMT ; PD50-30. 0.5μm pHEMT ; PD25. 0.25/0.5μm E/D pHEMT ; PP50-12. 0.5 μm 8V Operation pHEMT ; PP25-1x. 0.25μm 6V Operation pHEMT.
砷化鎵微波元件
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HBT、PHEMT 及MESFET 三者間最大的差異在於HBT為少數載子元件、以電流源控制、三極（基極（Base）、集極（Collector ）、射極（Emitter ））呈垂直排列 ...