pHEMT：以0.15μm pHEMT實現室溫兆赫波輻射源之研究Research on ...
以0.15μm pHEMT實現室溫兆赫波輻射源之研究Research on ...
pHEMT
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pHEMT ... 是用GaAs（砷化鉀）生產的微波元件結構的一種。 ... 另外，pHEMT亦具有低雜訊的特點，因此在20GHz以上的高頻微波通訊上，pHEMT有一定的市場地位。
PHEMT
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PHEMT（Pseudomorphic HEMT），贗高電子遷移率電晶體： PHEMT是對高電子遷移率電晶體（HEMT）的一種改進結構，也稱為贗調製摻雜異質結場效應電晶體（PMODFET）。
PHEMT
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PHEMT是對高電子遷移率晶體管（HEMT）的一種改進結構，也稱為贗調製摻雜異質結場效應晶體管（PMODFET）。
但pHEMT在操作電壓效率上比HBT有優勢
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... pHEMT要有相對的高單體成本，但pHEMT在操作電壓效率上比HBT有優勢，因為HBT需要極高的開機電壓，所以無法在低於2.5V的狀態下繼續操作或維持高效能，此外，pHEMT元件在 ...
利用HEMT 和PHEMT 改善無線通訊電路中的增益、速度和雜訊
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HEMTs 和PHEMTs 都是場效電晶體(FET) 的一種變體，適用於單片微波積體電路(MMIC) 的製造。HEMT 和PHEMT 結構將移動載流子與摻雜離子物理隔離，並防止光學聲子和離子化雜質 ...
待機耗電流較低、體積小等特色，故在符合行動電話產品發展 ...
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PHEMT因為砷化銦鎵(InGaAs)的加入，特別適用於RF Switch的應用使得它未來在電腦與電腦間的無線區域網路(Wireless Local Area Network, WLAN)、用以固網長途無線傳輸的無線 ...
微波通訊先進技術
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PD50-1x/32/42. 0.5μm E/D pHEMT ; PD50-30. 0.5μm pHEMT ; PD25. 0.25/0.5μm E/D pHEMT ; PP50-12. 0.5 μm 8V Operation pHEMT ; PP25-1x. 0.25μm 6V Operation pHEMT.
砷化鎵微波元件
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HBT、PHEMT 及MESFET 三者間最大的差異在於HBT為少數載子元件、以電流源控制、三極（基極（Base）、集極（Collector ）、射極（Emitter ））呈垂直排列 ...