ekc溶劑
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CN105551942A
https://patents.google.com
本发明提供了一种半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法，其包括：采用EKC溶液对刻蚀后的半导体晶圆进行第一次清洗，其中，EKC溶液为NMP溶剂和带有碱性的胺的混合溶液；采用NMP ...
使用EKC® 化学品去除蚀刻残留物
https://www.vaisala.com
将EKC® 溶液严格控制在一定浓度范围内非常重要，因为溶液中水含量过高会增加系统腐蚀的风险，而溶液中水含量过低，则不能有效地去除聚合物。维萨拉K-PATENTS® 半导体行业折光 ...
創新的溶劑回收技術
http://www.gers.com.tw
高沸點VOCs回收效率非常優良(95%~99%)。 § 可以回收(處理)的溶劑. 高沸點的溶劑(去光阻劑/光阻剝離劑、樹脂溶劑等)，例如ACT-935，EKC-162、EKC-265、EKC-800、EKC-830、EKC ...
化學迴路燃燒技術應用於處理高含水量溶劑之研究
https://ndltd.ncl.edu.tw
本研究以澳洲和巴西鐵礦為載氧體，以實場廢液異丙醇(IPA)與蝕刻後消除液(EKC)為燃料，於1kWth和100kWth交聯式流體化床進行化學迴路燃燒程序。藉由調整燃料反應器、空氣 ...
半導體光阻剝離PR Strip 製程介紹
https://www.scientech.com.tw
光阻剝離PR Strip : 光阻材料是有機物一般以碳、氫、氧化合物為主體，一般都用硫酸根或氫氧根離子破壞碳氫氧鍵，達到光阻去除的目的，傳統光阻剝離劑多是 ...
工學院半導體材料與製程設備學程
https://ir.lib.nycu.edu.tw
EKC265 清洗時間26 分鐘(原始條件) 如圖4.9，由SEM 圖可以得. 知：EKC 265 清洗時間26 分鐘可以完全的將殘留的聚合物物質清除乾. 淨，而鋁銅金屬有側蝕現象發生較15 分鐘清洗 ...
廢溶劑環保新星！台鎔雙製程「燒」出最佳解
https://www.bnext.com.tw
陳麗麗表示，台鎔處理的廢溶劑主要來自於晶圓清洗製程，包含異丙醇（IPA）、晶邊清洗液（EBR）和去光阻劑（EKC）等化學品。 ... 溶劑處理、再生溶劑販售。左 ...
最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)
https://www.tsri.org.tw
濕式清潔法概要: 最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)，在1980 年代亦曾有以乾式清潔. 法取代濕式清潔法之論點，同時亦有一些相關的嘗試性研究，然而 ...
臭氧水技術在光阻去除製程之應用
http://ecaaser5.ecaa.ntu.edu.t
Teflon),必須使用TMAH、EKC等特殊有機. 溶劑才能去除,而此類有機溶劑本身極不易. 分解,即使極少殘餘含量(1 ppm)的存在也. 可能造成管末端的製程水無法回收,這會造. 成製程 ...