晶圓切割流程

CN103085176A

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一种晶圆切割方法，其步骤包含将一第一晶圆与一第二晶圆接合成一已接合晶圆、从该已接合晶圆的第一面进行半切割动作、在该已接合晶圆的第二面上设置锡球、以及从该已 ...

DBG(Dicing Before Grinding)製程

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DBG就是將原來的「背面研磨→切割晶片」的製程程序進行逆向操作，先對晶片進行半切割加工，然後利用背面研磨使晶片分割成晶粒的技術。經通運用該技術，能有效地抑制分割 ...

TW201438078A

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TWI460780B

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此外，在半導體晶圓上製造積體電路之後，會對半導體晶圓進行切割以形成多個晶片(chip)。一般來說，上述的切割製程通常是先於晶圓的正面貼附研磨貼片(grinding tape)，並 ...

TWI512867B

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本發明係提供一種晶圓切割道之檢測方法，其包括下列步驟：提供一待檢測晶圓，待檢測晶圓具有複數個晶粒，每二晶粒間形成一切割道，且待檢測晶圓之一下表面黏附有一晶圓切割 ...

半導體製程(三)

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整片晶圓會被黏在一片圓型的膠帶上，然後被切割成無數顆裸晶。由於被切割後每顆裸晶還是黏在膠帶上，所以裸晶們還是排列得整整齊齊的。

晶圆切割方法

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本发明提供一种晶圆切割方法，其包括：提供晶圆，该晶圆包括正面和与该正面相对应的背面；依次通过镭射切割工艺和机械切割工艺自所述晶圆的正面向其背面进行切割，以在 ...

電漿蝕刻技術於晶圓切割產業之應用

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一般晶圓製造的晶片分離方式主要以機械刀具或雷射方式來進行切割，以目前晶圓薄化的技術可將平均厚度為750 μm的矽晶圓減至120 μm，但對於機械式切割已開始伴隨著晶片機械 ...