磊晶成長
「磊晶成長」熱門搜尋資訊
TW201517131A
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在一加工腔體中用於連續壓力控制的方法。方法包括：放置至少一半導體晶圓進入一加工腔體，此加工腔體係耦接至一幫浦，以維持加工腔體於一次大氣壓力；引入反應加工氣體 ...
外延(晶体)
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磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體器件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長（Epitaxial Growth），或指以外延 ...
晶圓薄膜epi
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As + 3/2 H. 2. 加熱(1100 °C). Page 11. 21. DCS 磊晶成長及As摻雜過程之. 示意圖. SiH2Cl2. Si. AsH3. As. AsH3. H. HCl. H2. 22. 磊晶對多晶. 成核: G = 4 πσ o r2 + 4/ ...
有機金屬氣相磊晶系統及技術簡介
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成長腔壓力；. 成長溫度；. 載晶器的轉速及旋轉方式。 磊晶成長參數控制了所成長的晶膜特性，包括：. 組成變化，及其均勻度；. 厚度變化，及其均勻度；. 載子濃度變化，及 ...
氮化鎵相關材料之磊晶成長與特性分析
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在本研究中，我們以自行組裝的有機金屬汽相磊晶法成長六角結構及立方結構的氮化鎵薄膜。對於薄膜的特性分析，則是採用X光繞射、霍爾量測、激發光譜及拉曼散射，另外還採用 ...
磊晶(晶體)
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磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體元件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長（Epitaxial Growth），或指以磊晶 ...
磊晶氧化物薄膜的製成
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(RHEED) 來觀察薄膜成長時的表面變化，或其他. 光或電子譜儀，來瞭解薄膜的化學組成。透過這樣. 的成長控制條件，可生長成高品質的單晶薄膜或超. 晶格。 分子束磊 ...
立碁電子
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磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體元件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長（Epitaxial Growth），或指以磊晶技術 ...
第3類半導體晶片怎麼做？基板難在哪？圖解生產流程
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磊晶是指透過在原有的基板上，長出薄薄一層結晶，以達到強化工作效能的目標。通常在磊晶過程中，會經過2個步驟：先在基板表面沉積化學物質，而後才會在 ...
第一章晶體性質與半導體成長
http://120.118.228.134
溫及高純度磊晶成長的優點可以藉著氣相磊晶. (vapor-phase epitaxy, VPE)來達成。 當磊晶層成長於基板時使用化學氣相磊晶. ○ 當磊晶層成長於基板時，使用化學氣相磊晶，.