EKC clean：POLYMER RESIDUE REMOVER
POLYMER RESIDUE REMOVER
AfterEKCclean,thereisanIPA/DryprocesswhereIPAmaygetcontaminatedwithEKCtraces.TheSemicon.Refractometercanmonitortheconcentrationofthe.。其他文章還包含有：「CN105529284A」、「EKC4000PCT」、「SpecializedRemoversandCleanChemistries」、「使用EKC®化学品去除蚀刻残留物」、「半导体晶圆的清洗方法」、「工學院半導體材料與製程設備學程」、「最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wetchemistry)」、「湿法EKC清...
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CN105529284A
https://patents.google.com
本发明提供了一种抛光及清洗晶圆的半导体设备，包括前端模组、测量模组、CMP抛光模组和清洗模组，在清洗模组中设置有EKC清洗单元，能够对放入其内的晶圆进行EKC溶液的清洗 ...
EKC 4000 PCT
https://www.dupont.com
DuPont's post-etch residue removers are aqueous and semi-aqueous organic mixtures formulated to effectively remove residues from substrate surfaces.
Specialized Removers and Clean Chemistries
https://www.dupont.com
Our advanced clean chemistries provide best-in-class process solutions for wafer cleaning, surface preparations, liquid and dry film resist removal, post ...
使用EKC® 化学品去除蚀刻残留物
https://www.vaisala.com
蚀刻残留物去除工艺可将聚合物从晶圆表面清除。这是通过将常用的蚀刻后化学品EKC®添加到喷雾设备中实现的。 蚀刻后EKC® 清洗处理. 将EKC® 溶液严格控制在一定浓度范围 ...
半导体晶圆的清洗方法
https://patents.google.com
本发明提供了一种半导体晶圆的清洗方法，至少包含如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆上具有刻蚀残余物；采用EKC溶液清洗所述晶圆，去除所述晶圆上的刻蚀残余物；采用一清洗剂 ...
工學院半導體材料與製程設備學程
https://ir.lib.nycu.edu.tw
EKC265 清洗時間26 分鐘(原始條件) 如圖4.9，由SEM 圖可以得. 知：EKC 265 清洗時間26 分鐘可以完全的將殘留的聚合物物質清除乾. 淨，而鋁銅金屬有側蝕現象發生較15 分鐘清洗 ...
最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)
https://www.tsri.org.tw
標準清潔液2 (standard clean 2)為HCl/H2O2/H2O. 比例為： 1:1:6 至1:2:8. 清潔溫度為：75~85℃. 清潔時間為：10~20 分鐘。 晶圓濕式蝕刻之簡介. 在積體電路(Integrated ...
湿法EKC清洗机
https://www.stn-semi.com
技术特点以纯水、酸性药液或有机试剂作为清洗剂，采用喷淋、热浸等清洗方式，对晶圆进行批量清洗；设备运用了公司自主设计的AWB框架，占地面积与行业内相同机台相比小20% ...