鎵 半導體：氮化鎵（GaN）何去何從? 氮化鎵市場、應用與未來
氮化鎵（GaN）何去何從? 氮化鎵市場、應用與未來
從軍事用途到改善AI 運算耗能問題，看化合物半導體「氮化鎵 ...
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你聽過「氮化鎵」（GaN）嗎？這個化合物半導體，相比於你我熟知的矽，更耐高壓、高溫、高電流，適合高頻且輕量化的電子產品市場。在5G／6G 行動通訊、無人機、自駕車、雷達等 ...
氮化鎵
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氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很 ...
甚麽是氮化鎵？氮化鎵（GaN）半導體詳解
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氮化鎵(GaN) 是一種非常硬且機械穩定的二元III/V族直接帶隙半導體。由於具有更高的擊穿強度、更快的開關速度、更高的熱導率和更低的導通電阻，基於氮化鎵的功率器件顯著 ...
砷化鎵
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砷化鎵（化學式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半導體材料，用來製作微波積體電路、紅外線發光二極體、半導體雷射器和太陽電池等 ...
第三代半導體
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GaN(氮化鎵)與SiC(碳化矽)這兩種寬能隙(wide band gap)半導體被稱為第三代半導體，因具有更好的物理和化學特性，且擁有高功率、耐高溫、高崩潰電壓、高電流密度、高頻 ...
第三代半導體商機發光，台廠奮起摘星
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氮化鎵主要用在中壓領域、約600伏特的產品，一部分會與矽材料的市場重疊，但氮化鎵有很好的移動性，適用在頻率高的產品，此特性在基地台、5G通訊相關...等高速產品具優勢。
第三代半導體材料
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第三代半導體材料的代表碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN），高功率、耐高溫、高崩潰電壓、高電流密度、高頻特性表現之優勢，使晶片面積可大幅減少，簡化周邊電路設計，達成減少模組、 ...
第三代半導體氮化鎵(GaN)發展趨勢？聽聽全球市占前幾大廠 ...
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氮化鎵除了耐高電壓、耐高溫、低電阻，還擁有出色的導電性和導熱性，體積小、能耗也小，使其在變壓器和充電器等領域中得到了廣泛的應用。
英飛凌12吋晶圓大突破！瞄準氮化鎵（GaN）晶片市場增長潛力
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氮化鎵（GaN）是半導體製造中的一種替代矽的材料。相較於矽，GaN ... 在全球氮化鎵（GaN）半導體市場中，有多家供應商在不同的應用領域中佔據 ...