鎵 半導體:第三代半導體
從軍事用途到改善AI 運算耗能問題,看化合物半導體「氮化鎵 ...
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你聽過「氮化鎵」(GaN)嗎?這個化合物半導體,相比於你我熟知的矽,更耐高壓、高溫、高電流,適合高頻且輕量化的電子產品市場。在5G/6G 行動通訊、無人機、自駕車、雷達等 ...
氮化鎵
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氮化鎵(GaN、Gallium nitride)是氮和鎵的化合物,是一種III族和V族的直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦,硬度很 ...
氮化鎵(GaN)何去何從? 氮化鎵市場、應用與未來
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矽基板氮化鎵(GaN-on-silicon)和碳化矽(SiC)都是寬頻隙半導體解決方案,它們能夠比單獨的矽承受更高的電壓,更高的頻率,並集成更多的產品。這些因素導致了碳化矽和氮化鎵在 ...
甚麽是氮化鎵?氮化鎵(GaN)半導體詳解
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氮化鎵(GaN) 是一種非常硬且機械穩定的二元III/V族直接帶隙半導體。由於具有更高的擊穿強度、更快的開關速度、更高的熱導率和更低的導通電阻,基於氮化鎵的功率器件顯著 ...
砷化鎵
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砷化鎵(化學式:GaAs)是鎵和砷兩種元素所合成的化合物,也是重要的IIIA族、VA族化合物半導體材料,用來製作微波積體電路、紅外線發光二極體、半導體雷射器和太陽電池等 ...
第三代半導體商機發光,台廠奮起摘星
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氮化鎵主要用在中壓領域、約600伏特的產品,一部分會與矽材料的市場重疊,但氮化鎵有很好的移動性,適用在頻率高的產品,此特性在基地台、5G通訊相關...等高速產品具優勢。
第三代半導體材料
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第三代半導體材料的代表碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN),高功率、耐高溫、高崩潰電壓、高電流密度、高頻特性表現之優勢,使晶片面積可大幅減少,簡化周邊電路設計,達成減少模組、 ...
第三代半導體氮化鎵(GaN)發展趨勢?聽聽全球市占前幾大廠 ...
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氮化鎵除了耐高電壓、耐高溫、低電阻,還擁有出色的導電性和導熱性,體積小、能耗也小,使其在變壓器和充電器等領域中得到了廣泛的應用。
英飛凌12吋晶圓大突破!瞄準氮化鎵(GaN)晶片市場增長潛力
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氮化鎵(GaN)是半導體製造中的一種替代矽的材料。相較於矽,GaN ... 在全球氮化鎵(GaN)半導體市場中,有多家供應商在不同的應用領域中佔據 ...