氧化薄膜沉積薄膜差異：半導體製程(二)
半導體製程(二)
2奈米以下要靠它？秒懂最強薄膜技術ALD原子層沉積！用超薄 ...
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共濺鍍薄膜沉積系統Co
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... 薄膜沉積，在4吋Si晶圓基板上沉積110nm SiO2薄膜，晶圓中央跟邊緣差距只有1~2nm，其標準差只有1nm（低於1%），顯示其均勻度極佳，如圖二。 圖二：共濺鍍二氧化矽薄膜均勻度。
化學氣相沉積與介電質薄膜
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確認至少四種化學氣相沉積(CVD) 的應. 用. • 描述CVD 製程順序. • 列舉兩種沉積區並描述它們和溫度之間. 的關係. • 列舉兩種介電質薄膜. 舉出兩種最常使用在介電質化學 ...
化學氣相沉積設備運作原理、優缺點與應用一次了解
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化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD）是一種常見的薄膜成長技術，通常用於固體表面上製造具有特定性質和厚度的薄膜。
半导体制造之薄膜工艺及原理
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薄膜沉积技术主要分为CVD和PVD两个方向。PVD主要用来沉积金属及金属化合物薄膜,分为蒸镀和溅射两大类，目前的主流工艺为溅射。CVD主要用于介质/半导体 ...
常見的各種成膜方式比較與可能形成的薄膜
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以下列舉幾種電子產業常用的幾種成膜方式與其可能形成的薄膜比較 成膜方式包含:PVD物理氣相沉積、CVD化學氣相沉積、塗佈法、電鍍法 可能形成的薄膜種類:絕緣膜、金屬 ...
機器學習革新半導體製程管理
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薄膜沉積的目的是在晶圓上增加導電特性，常見的方法有PVD及CVD兩種。在半導體製程中，這兩種技術可能會被結合使用，以實現不同層次和屬性的薄膜需求。
薄膜
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由於流體是環繞於固態基體的，這使得沉積可以在所有表面都發生而幾乎沒有方向性。即由化學沉積獲得的薄膜多是均勻無方向性的。 化學沉積可以根據流體的狀態進行進一步分類：.