碳化矽長晶製程:第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析
第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析
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TW202204256A
https://patents.google.com
本發明之碳化矽的晶種長晶面可以是碳面10C、也可以是矽面10Si,且加工製程可以包含切割、研磨、拋光,而碳化矽晶種10可為6H碳化矽或4H碳化矽,本發明並不以此為限。 以 ...
![全球晶片荒! 中山大學獨創長晶技術助攻產業升級](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E5%85%A8%E7%90%83%E6%99%B6%E7%89%87%E8%8D%92%EF%BC%81+%E4%B8%AD%E5%B1%B1%E5%A4%A7%E5%AD%B8%E7%8D%A8%E5%89%B5%E9%95%B7%E6%99%B6%E6%8A%80%E8%A1%93%E5%8A%A9%E6%94%BB%E7%94%A2%E6%A5%AD%E5%8D%87%E7%B4%9A.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
全球晶片荒! 中山大學獨創長晶技術助攻產業升級
https://news.nsysu.edu.tw
國立中山大學晶體研究中心創全國大專校院之先,目前正自行研發晶體生長設備及相關技術,透過2200oC以上的超高溫生長出碳化矽晶體,是目前國內唯一具備生長6至8吋晶圓設備的 ...
![循環矽材–碳化矽之開發](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E5%BE%AA%E7%92%B0%E7%9F%BD%E6%9D%90%E2%80%93%E7%A2%B3%E5%8C%96%E7%9F%BD%E4%B9%8B%E9%96%8B%E7%99%BC.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
循環矽材–碳化矽之開發
https://www.materialsnet.com.t
本文將以廢棄矽晶切削邊角料作為原料,透過純化回收製程後,再製成碳化矽原料,俾能減少環境污染及資源浪費;並給予循環矽材之碳化矽的應用方向建議,期望 ...
![碳化矽(SiC)長晶與晶圓薄化設備的技術發展趨勢](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E7%A2%B3%E5%8C%96%E7%9F%BD%28SiC%29%E9%95%B7%E6%99%B6%E8%88%87%E6%99%B6%E5%9C%93%E8%96%84%E5%8C%96%E8%A8%AD%E5%82%99%E7%9A%84%E6%8A%80%E8%A1%93%E7%99%BC%E5%B1%95%E8%B6%A8%E5%8B%A2.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
碳化矽(SiC)長晶與晶圓薄化設備的技術發展趨勢
https://ieknet.iek.org.tw
高科技設備與先進製程. 碳化矽(SiC)相較於矽(Si),由於具備10倍的擊穿電場、3倍的能隙寬度、50倍的功率密度、3倍的熱導率,使得它比矽或其他化合物半導體,更適合作為 ...
![碳化矽晶圓製程與磊晶品質分析](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E7%A2%B3%E5%8C%96%E7%9F%BD%E6%99%B6%E5%9C%93%E8%A3%BD%E7%A8%8B%E8%88%87%E7%A3%8A%E6%99%B6%E5%93%81%E8%B3%AA%E5%88%86%E6%9E%90.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
碳化矽晶圓製程與磊晶品質分析
https://www.materialsnet.com.t
碳化矽晶圓的製造流程與矽晶圓有所不同,本文將從碳化矽的原料合成、長晶製程、晶圓製備與磊晶等流程進行說明,另外也將針對晶圓的缺陷、平整度、電阻率、 ...
![碳化矽發展長晶為關鍵,台廠需加快腳步](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E7%A2%B3%E5%8C%96%E7%9F%BD%E7%99%BC%E5%B1%95%E9%95%B7%E6%99%B6%E7%82%BA%E9%97%9C%E9%8D%B5%EF%BC%8C%E5%8F%B0%E5%BB%A0%E9%9C%80%E5%8A%A0%E5%BF%AB%E8%85%B3%E6%AD%A5.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
碳化矽發展長晶為關鍵,台廠需加快腳步
https://technews.tw
... 碳化矽各個製程都有所著墨和布局,但在關鍵的長晶領域,台廠的機會在哪? 長晶難度高 為關鍵瓶頸目前全球碳化矽由美日廠商寡占,其中的關鍵因素之一為 ...
![第3類半導體晶片怎麼做?基板難在哪?圖解生產流程](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E7%AC%AC3%E9%A1%9E%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E6%99%B6%E7%89%87%E6%80%8E%E9%BA%BC%E5%81%9A%EF%BC%9F%E5%9F%BA%E6%9D%BF%E9%9B%A3%E5%9C%A8%E5%93%AA%EF%BC%9F%E5%9C%96%E8%A7%A3%E7%94%9F%E7%94%A2%E6%B5%81%E7%A8%8B.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
第3類半導體晶片怎麼做?基板難在哪?圖解生產流程
https://www.bnext.com.tw
要生產出碳化矽(SiC)單晶(monocrystal或single crystal)基板,須從長晶(生長碳化矽單晶)做起,作法是將碳化矽粉體倒入長晶爐,在高溫且密閉的空間使 ...