碳化矽長晶製程
「碳化矽長晶製程」熱門搜尋資訊
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本發明之碳化矽的晶種長晶面可以是碳面10C、也可以是矽面10Si，且加工製程可以包含切割、研磨、拋光，而碳化矽晶種10可為6H碳化矽或4H碳化矽，本發明並不以此為限。 以 ...
全球晶片荒！ 中山大學獨創長晶技術助攻產業升級
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國立中山大學晶體研究中心創全國大專校院之先，目前正自行研發晶體生長設備及相關技術，透過2200oC以上的超高溫生長出碳化矽晶體，是目前國內唯一具備生長6至8吋晶圓設備的 ...
循環矽材–碳化矽之開發
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本文將以廢棄矽晶切削邊角料作為原料，透過純化回收製程後，再製成碳化矽原料，俾能減少環境污染及資源浪費；並給予循環矽材之碳化矽的應用方向建議，期望 ...
碳化矽(SiC)長晶與晶圓薄化設備的技術發展趨勢
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高科技設備與先進製程. 碳化矽(SiC)相較於矽(Si)，由於具備10倍的擊穿電場、3倍的能隙寬度、50倍的功率密度、3倍的熱導率，使得它比矽或其他化合物半導體，更適合作為 ...
碳化矽晶圓製程與磊晶品質分析
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碳化矽晶圓的製造流程與矽晶圓有所不同，本文將從碳化矽的原料合成、長晶製程、晶圓製備與磊晶等流程進行說明，另外也將針對晶圓的缺陷、平整度、電阻率、 ...
碳化矽發展長晶為關鍵，台廠需加快腳步
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... 碳化矽各個製程都有所著墨和布局，但在關鍵的長晶領域，台廠的機會在哪？ 長晶難度高 為關鍵瓶頸目前全球碳化矽由美日廠商寡占，其中的關鍵因素之一為 ...
第3類半導體晶片怎麼做？基板難在哪？圖解生產流程
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要生產出碳化矽（SiC）單晶（monocrystal或single crystal）基板，須從長晶（生長碳化矽單晶）做起，作法是將碳化矽粉體倒入長晶爐，在高溫且密閉的空間使 ...
第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析
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事實上，生產SiC基板最困難的地方在於長晶技術，現有製程不僅複雜且晶體生長緩慢，欲大量製造難度極高。市場上具有SiC晶圓量產能力的公司，仍僅少數幾家 ...