磊晶技術
「磊晶技術」熱門搜尋資訊
SiC晶圓製造究竟難在哪？
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但規模化生產製造SiC晶片，達到低微管密度或零缺陷品質還存在一些技術製程問題。 SiC元件製造必須要經過磊晶步驟，磊晶品質對元件性能影響很大。SiC基元件 ...
分子束磊晶技術之發展與磁性薄膜之製備應用
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近來分子束磊晶技術不僅. 為物理與表面科學研究開創了新的領域，並拓展了. 材料科學與電子元件發展的技術與空間。 二、分子束磊晶系統簡介. 本文以本實驗室之分子束磊晶 ...
化合物半導體之分子束磊晶技術
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本文介紹三五族化合物半導體分子束磊晶系統的裝置設備，包括真空系統、分子束. 源、基板操控器與即時量測設備。本文同時也介紹了兩項近期的發展，包括含銻化合物半導. 體與 ...
有機金屬氣相磊晶系統及技術簡介
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本文以深入淺出之方式，介紹有機金屬氣相磊晶(MOVPE) 系統之構造及其基本原理。自. 1968 年Manasevit 發明此種磊晶技術以來，由於MOVPE 系統可以大量成長化合物半導體 ...
磊晶
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磊晶用於在半導體製造中創造完美的矽晶體基底層，以便在晶體基底層上建構半導體元件、沉積具電性的晶體薄膜，或改變底層的機械特性以改善導電性。
磊晶(晶體)
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磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體器件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長（Epitaxial Growth），或指以外延 ...
磊晶(晶體)
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磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體元件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長（Epitaxial Growth），或指以磊晶 ...
第3類半導體晶片怎麼做？基板難在哪？圖解生產流程
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磊晶是指透過在原有的基板上，長出薄薄一層結晶，以達到強化工作效能的目標。通常在磊晶過程中，會經過2個步驟：先在基板表面沉積化學物質，而後才會在 ...