半導體cd量測
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3D晶圓量測系統Model 7980
https://www.chromaate.com
Chroma 7980 3D晶圓量測系統主要整合白光干涉量測技術，進行非破壞性的12吋晶圓之3D關鍵尺寸量測。可進行待測物之關鍵尺寸(CD)、Overlay(OVL)及Thickness等量測需求， ...
NEBULA S200DS200光罩
http://www.legendtech.com.tw
先進的多路光學系統進行CD量測（黑白）和Review（彩色） · 優化的系統照明採用365nm，460nm 和530nm 適用不同的場景 · 透射光和反射光同時進行量測，提升量測精度 · 雷射自動 ...
VeritySEM 10 關鍵尺寸(CD) 量測
https://www.appliedmaterials.c
在半導體元件圖案測量方面，CD-SEM (臨界線寬掃描式電子顯微鏡) 常被稱為是「晶圓廠的標準」，因為這套系統能產生最精準的次奈米測量值。在微影成像機（lithography ...
以SRM技術監測微影製程控制因子與光阻
https://www.eettaiwan.com
KLA-Tencor在過去15年來為半導體產業IC元件的CD與外觀形狀量測，提供利用橢圓偏光法(spectroscopic ellipsometry)以及反射法(reflectometry)的SCD度量 ...
光學微影的限制
https://www.tsia.org.tw
在積體電路(IC)生產的發展初期，光學微影一直是半導體圖案製程的主流技術。 ... 它經常被用來作為量測一個或多組特定元件特徵的CD差距方法，以及作為標準誤差值的衡量 ...
影像自動量測技術（Auto
https://www.matek.com
在半導體製程中，測量設備的性能直接影響製程調變的能力和產量的提升，半導體廠和設備供應商必須確保其測量的結果必須在公差範圍內，並符合ISO和品質 ...
從散射測量對微影線上製程控制的研究
https://ndltd.ncl.edu.tw
對於奈米微影製程¬而言，傳統CD的量測方式似乎接近半導體元件解析度的有效極限；以臨界尺寸掃描電子顯微鏡(CD-SEM)的量測方式，是由上而下的觀測，並無法提供很詳細的 ...
檢測10奈米以下半導體CD
https://www.mem.com.tw
在量測技術、多重微影技術與材料的改良下，半導體裝置的3D記憶體與臨界尺寸(CD)能夠沿用到小於10奈米製程。在10奈米製程上，元件的複雜度不斷提高，使得 ...
臨界尺寸量測方法最佳化之研究
https://ir.nctu.edu.tw
臨界尺寸(Critical Dimension, CD)量測的重要理由是為了確認晶圓製造. 故過程中，所有的線寬皆已精準控制。半導體製程中通常以掃瞄式電子顯. 微鏡(Scanning Electron ...